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Auswirkungen von Trocknungsverfahren und Benetzbarkeit von Silizium auf die Bildung von Wasserflecken in der Halbleiterverarbeitung

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Auswirkungen von Trocknungsverfahren und Benetzbarkeit von Silizium auf die Bildung von Wasserflecken in der Halbleiterverarbeitung

2019-12-16

Die Inline-Beobachtung und Klassifizierung von Wasserflecken nach dem Trocknungsprozess wurde im Hinblick auf die Benetzbarkeit der Wafer und die angewandten Trocknungsverfahren untersucht. Die Bildung von Wasserflecken wurde mit einem KLA-Waferinspektionssystem und einem Partikelscanner auf verschiedenen hydrophilen und hydrophoben Wafern mit und ohne Muster beobachtet. Die Wafer wurden geschleudert und in Abhängigkeit von der Lufteinwirkungszeit mit IPA dampfgetrocknet. Die hydrophilen Wafer erzeugten weder beim Schleudern noch beim Dampftrocknen irgendwelche Wasserflecken. Die Lufteinwirkungszeit und das Trockenverfahren sind viel empfindlicher bei der Erzeugung von Wasserflecken mit den hydrophoben Oberflächen. Das Trockenschleudern von hydrophoben Wafern erzeugte unabhängig von der Lufteinwirkungszeit eine große Menge an Wasserflecken. Homogen hydrophile oder hydrophobe Wafer mit und ohne Muster erzeugten nach der Dampftrocknung der Wafer keine Wasserflecken. Jedoch erzeugten die gemusterten Wafer mit sowohl hydrophoben als auch hydrophilen Stellen Wasserflecken sogar in IPA-Dampftrocknung. Dies weist darauf hin, dass die Benetzbarkeit und das Trocknungsverfahren des Wafers eine wichtige Rolle bei der Erzeugung von Wasserflecken spielenNassprozesse für Halbleiter .

Quelle: IOPscience

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