Die strominjizierte Lichtemission wurde für metallorganische Dampfphasenepitaxie (MOVPE) bestätigt, die (Ga)InAs/InP-Quantenpunkte (QDs) auf direkt gebondetem InP/Si-Substrat gewachsen sind. Das InP/Si-Substrat wurde durch direktes Bonden eines InP-Dünnfilms und eines Si-Substrats unter Verwendung eines Nassätz- und Glühprozesses hergestellt. Eine p-i-n-LED-Struktur mit (Ga)InAs/InP-QDs von Stranski-Krastanov wurde durch MOVPE auf einem InP/Si-Substrat gezüchtet. Es wurde keine Ablösung zwischen Si-Substrat und InP- Schicht beobachtet, selbst nach MOVPE-Wachstum und Betrieb der Vorrichtung unter kontinuierlichen Wellenbedingungen bei RT. Die Photolumineszenz-, Strom/Spannungs- und Elektrolumineszenz-Eigenschaften der auf dem InP/Si-Substrat gewachsenen Vorrichtung wurden mit einer auf einem InP-Substrat gewachsenen Referenz verglichen.
Quelle: IOPscience
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