Waferskalenanordnungen von wohlgeordneten pb (zr0,2ti0,8) o3-Nanodisks und Nanoringen wurden auf der gesamten Fläche (10 mm × 10 mm) der srruo3-Bodenelektrode auf einem Srrio3-Einkristallsubstrat unter Verwendung der Laserinterferenzlithographie hergestellt (lil) Prozess kombiniert mit gepulster Laserablagerung. Die Form und Größe der Nanostrukturen wurde durch die Menge an pzt, die durch die gemu...
Wir stellen einen neuartigen Prozess zur Integration vor Germanium mit Silizium-auf-Isolator (soi) Wafern. Germanium wird in SoI implantiert, das dann oxidiert wird, wobei das Germanium zwischen den zwei Oxidschichten (dem gewachsenen Oxid und dem vergrabenen Oxid) eingeschlossen wird. unter sorgfältiger Kontrolle der Implantations- und Oxidationsbedingungen erzeugt dieser Prozess eine dünne Schic...
der Prozess zur Verringerung der Versetzungsdichte in 3-Zoll-Fe-dotiert Inp-Wafer wird beschrieben. Der Kristallwachstumsprozess ist ein konventioneller flüssigkeitsverkapselter Czochralsky (lec), jedoch wurden thermische Abschirmungen hinzugefügt, um den thermischen Gradienten im wachsenden Kristall zu verringern. Die Form dieser Schilde wurde mit Hilfe numerischer Simulationen von Wärmeübertragu...
die Dichte und Lichtstreuintensität von Sauerstoff präzipitiert in cz Silizium Kristalle werden durch IR-Lichtstreutomographie gemessen. Die durch die Messungen geklärten numerischen Daten werden in Bezug auf die Menge an ausgefälltem Sauerstoff diskutiert. Die hier erhaltenen Ergebnisse stimmen gut mit der theoretischen Analyse überein, dass Sauerstoffpräzipitate Licht streuen. Die durch ir-Licht...
Die Bestrahlung mit Ionenstrahlen wurde als eine Methode zur Erzeugung von nanoskaligen Halbleitersäulen- und -kegelstrukturen untersucht, hat aber den Nachteil einer ungenauen Anordnung von Nanostrukturen. Wir berichten über eine Methode zum Erstellen und Templating von Nanoskalen InAs Spikes durch Bestrahlung mit fokussiertem Ionenstrahl (FIB) sowohl von homoepitaktischen InAs-Filmen als auch vo...
Wir stellen eine berührungslose Methode zur Bestimmung der thermischen Ansprechzeit von in Wafern eingebetteten Temperatursensoren vor. Bei diesem Verfahren beleuchtet eine Blitzlampe in periodischen Impulsen einen Punkt auf dem Wafer; Der Fleck befindet sich auf der gegenüberliegenden Seite des getesteten Sensors. Die thermische Zeitkonstante des Sensors wird dann aus der Messung seiner zeitliche...
Ein berührungsloses, zerstörungsfreies Bildgebungsverfahren für die ortsaufgelöste Dotierstoffkonzentration, [2.2] N d, und den elektrischen Widerstand, ρ, von n- und p-leitenden Siliziumwaferndie Verwendung von Lock-in-Trägerographiebildern bei verschiedenen Laserbestrahlungsintensitäten wird vorgestellt. Amplituden- und Phaseninformationen von Waferstellen mit bekanntem spezifischem Widerstand w...
Die jüngsten Fortschritte beim Wachstum epitaxialer SiC-Filme auf Si werden im Überblick dargestellt. Die grundlegenden klassischen Methoden, die derzeit für das Wachstum von SiC-Schichten verwendet werden, werden diskutiert und ihre Vor- und Nachteile werden untersucht. Die Grundidee und der theoretische Hintergrund für ein neues Verfahren zur Synthese epitaktischer SiC-Schichtenauf Si gegeben si...