der Prozess zur Verringerung der Versetzungsdichte in 3-Zoll-Fe-dotiert Inp-Wafer wird beschrieben. Der Kristallwachstumsprozess ist ein konventioneller flüssigkeitsverkapselter Czochralsky (lec), jedoch wurden thermische Abschirmungen hinzugefügt, um den thermischen Gradienten im wachsenden Kristall zu verringern. Die Form dieser Schilde wurde mit Hilfe numerischer Simulationen von Wärmeübertragung und thermomechanischen Spannungen optimiert.

Dieser Prozess wurde Schritt für Schritt mit einer kontinuierlichen Rückkopplung zwischen Berechnungen und Experimenten durchgeführt. eine Verringerung der thermischen Belastung um 50% wurde erreicht. Die Auswirkungen dieser Verbesserungen auf die Versetzungsdichten wurden durch die Ätzgrübchendichte- (epd) und Röntgenbeugungs- (xrd) -Kartierung untersucht: Die Versetzungsdichte ist insbesondere im oberen Teil des Kristalls dramatisch zurückgegangen (von 70.000 auf 40.000 cm 2) und entspricht damit den Spezifikationen für mikroelektronische Anwendungen. Eine gleiche Verbesserung wurde für s-dotierte 3-Zoll-Wafer erhalten.

Quelle: Iopscience

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