Die jüngsten Fortschritte beim Wachstum von epitaktischen Filmen auf Si sind im Überblick. Die grundlegenden klassischen Methoden, die derzeit für das Wachstum von Sic-Filmen verwendet werden, werden diskutiert und ihre Vor- und Nachteile werden untersucht. Die Grundidee und der theoretische Hintergrund für eine neue Methode zur Synthese von epitaktischen Filmen auf Si sind gegeben. Es wird gezeig...
Es ist immer noch eine große Herausforderung für Halbleiter-basierte Geräte, einen großen Magnetowiderstand (MR) -Effekt bei einem niedrigen Magnetfeld bei Raumtemperatur zu erhalten. In dieser Arbeit werden die photoinduzierten mr - Effekte unter verschiedenen Beleuchtungsintensitäten bei Raumtemperatur untersucht halbisolierendes Galliumarsenid ( si-gaas ) auf ag / si-gaas / ag Gerät. die Vorric...
der Prozess zur Verringerung der Versetzungsdichte in 3-Zoll-Fe-dotiert Inp-Wafer wird beschrieben. Der Kristallwachstumsprozess ist ein konventioneller flüssigkeitsverkapselter Czochralsky (lec), jedoch wurden thermische Abschirmungen hinzugefügt, um den thermischen Gradienten im wachsenden Kristall zu verringern. Die Form dieser Schilde wurde mit Hilfe numerischer Simulationen von Wärmeübertragu...
hochzugbelastete Sub-Monoschicht ge Nanostrukturen auf Gas wurden durch Molekularstrahlepitaxie gezüchtet und mittels Ultrahochvakuum-Rastertunnelmikroskopie untersucht. vier verschiedene deckungsraten von ge nanostrukturen auf gasb werden erreicht und untersucht. Es wird gefunden, dass das Wachstum von Gas auf Gas dem 2d-Wachstumsmodus folgt. das Kristallgitter der Sub-Monoschicht ge Nanostruktur...
Dieses Papier schlägt eine neue dreidimensionale (3d) Photolithographie Technologie für einen hochauflösenden Mikrostrukturierungsprozess auf einem Fasersubstrat. Ein kurzer Überblick über die Lithographie-Technologie der nicht-planaren Oberfläche wird ebenfalls vorgestellt. Die vorgeschlagene Technologie umfasst hauptsächlich die Mikrofabrikation des 3D-Belichtungsmoduls und die Sprühabscheidung ...
Te-dotierte GaSb-Einkristalle werden durch Messung von Hall-Effekt, Infrarot (IR) -Transmission und Photolumineszenz (PL) -Spektren untersucht. Es wurde gefunden, dass das GaSb vom n-Typ mit IR-Durchlässigkeit bis zu 60% durch kritische Kontrolle der Te-Dotierungskonzentration und elektrische Kompensation erhalten werden kann. Die Konzentration der nativen Akzeptor-assoziierten Defekte ist offensi...
Die Bestrahlung mit Ionenstrahlen wurde als eine Methode zur Erzeugung von nanoskaligen Halbleitersäulen- und -kegelstrukturen untersucht, hat aber den Nachteil einer ungenauen Anordnung von Nanostrukturen. Wir berichten über eine Methode zum Erstellen und Templating von Nanoskalen InAs Spikes durch Bestrahlung mit fokussiertem Ionenstrahl (FIB) sowohl von homoepitaktischen InAs-Filmen als auch vo...
In dieser Arbeit untersuchen wir unter Verwendung eines vollständig gekoppelten dreidimensionalen elektrothermischen Vorrichtungssimulators den Mechanismus der Effizienzverschlechterung bei Hochstrombetrieb in planar G ein Leuchtdioden auf N-Basis (LED). Insbesondere wurde die Verbesserung der Effizienzverschlechterung unter Verwendung von dickeren leitfähigen GaN-Substraten demonstriert. Zunächst...
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