Te-dotierte GaSb-Einkristalle werden durch Messung von Hall-Effekt, Infrarot (IR) -Transmission und Photolumineszenz (PL) -Spektren untersucht. Es wurde gefunden, dass das GaSb vom n-Typ mit IR-Durchlässigkeit bis zu 60% durch kritische Kontrolle der Te-Dotierungskonzentration und elektrische Kompensation erhalten werden kann. Die Konzentration der nativen Akzeptor-assoziierten Defekte ist offensichtlich gering in der Te-Dotierung GaSb verglichen mit denen in undotiertem und stark Te-dotiertem GaSb. Der Mechanismus für die hohe IR-Transmission wird unter Berücksichtigung des Defekt-involvierten optischen Absorptionsprozesses analysiert.

Quelle: IOPscience

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