Direkte Diodenlaser haben einige der attraktivsten Merkmale von allen Laser. Sie sind sehr effizient, kompakt, vielseitig einsetzbar, kostengünstig und sehr zuverlässig. Die volle Nutzung von Direktdiodenlasern muss jedoch noch realisiert werden. die schlechte Qualität von Diodenlaser Strahl selbst, direkt beeinflussen seine Anwendungsbereiche, um eine bessere Verwendung von Diodenlaserstack, benö...
der Wachstumszustand von dünn stark mg-dotiert Gan die Deckschicht und ihre Wirkung auf die ohmsche Kontaktbildung von p-Typ-Gan wurden untersucht. Es wird bestätigt, dass die übermäßige mg-Dotierung den ni / au-Kontakt effektiv zu p- Gan nach dem Glühen bei 550 ° C. wenn das Strömungsratenverhältnis zwischen mg- und ga-Gasquellen 6,4% beträgt und die Schichtbreite 25 nm beträgt, weist die bei 850...
wir berichten über die Erzeugung von Mikroentladungen in Vorrichtungen, die aus mikrokristallinem Material bestehenDiamant. Entladungen wurden in Bauelementstrukturen mit Mikrohohlkathodenentladungsgeometrien erzeugt. eine Struktur bestand aus einem isolierenden Diamantwafer, der auf beiden Seiten mit Bor-dotierten Diamantschichten beschichtet war. eine zweite Struktur bestand aus einem isolierend...
Ein Inas / si-Heteroübergang, der durch ein Nasswaferbondverfahren mit einer Annealingtemperatur von 350 ° C gebildet wurde, wurde mittels Transmissionselektronenmikroskopie (TEM) untersucht. Es wurde beobachtet, daß in einem Hellfeld-Bild inas und si gleichmäßig in einem 2 μm langen Sichtfeld ohne irgendwelche Hohlräume verbunden waren. ein hochauflösendes tem-Bild zeigte, dass zwischen deni...
Wir berichten über das au-assistierte chemische Strahlepitaxie-Wachstum von defektfreien Zinkblende-insb-Nanodrähten. das gewachsene insb Segmente sind die oberen Abschnitte von Inas / Insb-Heterostrukturen auf Inas (111) b -Substraten. Wir zeigen, dass Zinkblende Insb ohne Kristalldefekte wie Stapelfehler oder Zwillingsflächen wachsen kann. Die Strain-Map-Analyse zeigt, dass das INSB-Segment inne...
Es ist immer noch eine große Herausforderung für Halbleiter-basierte Geräte, einen großen Magnetowiderstand (MR) -Effekt bei einem niedrigen Magnetfeld bei Raumtemperatur zu erhalten. In dieser Arbeit werden die photoinduzierten mr - Effekte unter verschiedenen Beleuchtungsintensitäten bei Raumtemperatur untersucht halbisolierendes Galliumarsenid ( si-gaas ) auf ag / si-gaas / ag Gerät. die Vorric...
der Prozess zur Verringerung der Versetzungsdichte in 3-Zoll-Fe-dotiert Inp-Wafer wird beschrieben. Der Kristallwachstumsprozess ist ein konventioneller flüssigkeitsverkapselter Czochralsky (lec), jedoch wurden thermische Abschirmungen hinzugefügt, um den thermischen Gradienten im wachsenden Kristall zu verringern. Die Form dieser Schilde wurde mit Hilfe numerischer Simulationen von Wärmeübertragu...
Dieses Papier schlägt eine neue dreidimensionale (3d) Photolithographie Technologie für einen hochauflösenden Mikrostrukturierungsprozess auf einem Fasersubstrat. Ein kurzer Überblick über die Lithographie-Technologie der nicht-planaren Oberfläche wird ebenfalls vorgestellt. Die vorgeschlagene Technologie umfasst hauptsächlich die Mikrofabrikation des 3D-Belichtungsmoduls und die Sprühabscheidung ...
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