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Substrate für III-V-Nitridfilmabscheidung

Wafer-Liste

Substrate für III-V-Nitridfilmabscheidung

2018-02-27

Substrate für III-V-Nitridfilmabscheidung

Kristall

Struktur

Schmelzpunkt

Dichte

Gitter-mis-match zu gan

Wärmeausdehnung

Wachstum Tech. .\u0026Ampere; maximale Größe

Standard-Substratgröße (mm)

O c

g / cm 3

(10 -6 / k)

sic

(6h als Beispiel)

sechseckig

~ 2700

3.21

3,5% Atori.

10.3

CVD

Ø2 \"x 0,3, Ø3\" x0,3

a = 3,073 Å

\u0026 emsp;

\u0026 emsp;

20x20x0,3,15x15x0,3

c = 15,117 Å

\u0026 emsp;

Ø3 \"

10x10x0,3,5x5x0,3

\u0026 emsp;

subl.

\u0026 emsp;

1 Seite Epi poliert

al 2 O 3

sechseckig

2030

3.97

14% Atori.

7.5

cz

Ø50 x 0,33

a = 4,758 Å

\u0026 emsp;

Ø25 x 0,50

c = 12,99 Å

Ø2 \"

10x10x0.5

\u0026 emsp;

\u0026 emsp;

1 oder 2 Seiten epi poliert

Lialo 2

tetragonal

1900 ~

2.62

1,4% Atori.

/

cz

10x10x0.5

a = 5,17 Å

Ø20 mm

1 oder 2 Seiten epi poliert

c = 6,26 Å

\u0026 emsp;

\u0026 emsp;

Ligao 2

Orthor.

1600

4.18

0,2% Atori.

/

cz

10x10x0.5

a = 5,406 Å

Ø20 mm

1 oder 2 Seiten epi poliert

b = 5,012 Å

\u0026 emsp;

\u0026 emsp;

c = 6,379 Å

\u0026 emsp;

\u0026 emsp;

Mag ich

kubisch

2852

3.58

3% Atori.

12.8

Fluss

2 \"× 2\" × 0,5 mm, Ø 2 \"× 0,5 mm

a = 4,216 Å

\u0026 emsp;

1 \"× 1\" × 0,5 mm, Ø 1 \"× 0,5 mm

\u0026 emsp;

Ø2 \"

10 x 10 x 0,5 mm

1 oder 2 Seiten epi poliert

mgal 2 O 4

kubisch

2130

3.6

9% Atori.

7.45

cz

Ø2 \"x 0,5

a = 8,083 Å

Ø2 \"

10x10x0.5

\u0026 emsp;

\u0026 emsp;

1 oder 2 Seiten epi poliert

zno

Sechseck

1975

5.605

2,2% Atori.

2.9

Hydro-Thermal

20x20x0,5

a = 3,325 Å

20 mm

1 oder 2 Seiten epi poliert

c = 5,213 Å

\u0026 emsp;

\u0026 emsp;

Gan

sechseckig

\u0026 emsp;

6.15

\u0026 emsp;

5.59

\u0026 emsp;

10x10x0,475mm

\u0026 emsp;

\u0026 emsp;

5x5x0,475mm









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