Algainp führte Chip-Sepcification
orange LED-Wafer Substrat:
\u0026 emsp;
\u0026 emsp;
p + Gaas
\u0026 emsp;
\u0026 emsp;
\u0026 emsp;
\u0026 emsp;
p-Lücke
\u0026 emsp;
\u0026 emsp;
\u0026 emsp;
\u0026 emsp;
p-algainp
\u0026 emsp;
\u0026 emsp;
\u0026 emsp;
\u0026 emsp;
mqw
\u0026 emsp;
\u0026 emsp;
\u0026 emsp;
\u0026 emsp;
n-Algainp
\u0026 emsp;
\u0026 emsp;
\u0026 emsp;
\u0026 emsp;
dbr n-algaas / ach
\u0026 emsp;
\u0026 emsp;
\u0026 emsp;
Puffer
\u0026 emsp;
\u0026 emsp;
\u0026 emsp;
\u0026 emsp;
Gaas-Substrat
\u0026 emsp;
\u0026 emsp;
\u0026 emsp;
\u0026 emsp;
·Chip sepcification (basierend auf 7mil * 7mil Chips)
Parameter
\u0026 emsp;
\u0026 emsp;
Chipgröße
7mil (± 1mil) * 7mil (± 1mil)
Dicke
7mil (± 1mil)
p Elektrode
U / l
\u0026 emsp;
n Elektrode
au
\u0026 emsp;
Struktur
sowie rechts gezeigt
· Optisch-elektrisch Figuren
\u0026 emsp;
\u0026 emsp;
\u0026 emsp;
Parameter
Bedingung
Mindest.
typ
max.
Einheit
Vorwärtsspannung
ich f = 10 μA
1.35
┄
┄
v
umgekehrte Spannung
ich f = 20mA
┄
┄
2.2
v
Rückstrom
v = 10 V
┄
┄
2
um
Wellenlänge
ich f = 20mA
565
┄
575
nm
halbe Wellenbreite
ich f = 20mA
┄
10
┄
nm
·Lichtintensität Figuren
\u0026 emsp;
\u0026 emsp;
\u0026 emsp;
\u0026 emsp;
\u0026 emsp;
\u0026 emsp;
Helligkeitscode
la
Pfund
lc
ld
le
lf
lg
lh
iv (mcd)
10-15
15-20
20-25
25-30
30-35
35-40
40-50
50-60
Quelle: halbleiterwafers.net
Für weitere Informationen besuchen Sie bitte unsere Website: http://www.semiconductorwafers.net ,
Senden Sie uns eine E-Mail an angel.ye@powerwaywafer.com oder powerwaymaterial@gmail.com .
Kontakt Informationen
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
