Wir können 4 \"Gaas Hemt Epi Wafer anbieten, siehe unten typische Struktur:
1) 4 \"Si Substrat Gaas mit [100] Orientierung,
2) [Puffer] Übergitter von al (0,3) ga (0,7) als / Gaas mit Dicken 10/3 nm, wiederhole 170 mal,
3) Barriere al (0,3) ga (0,7) als 400 nm,
4) Quantenwell Gaas 20 nm,
5) Spacer al (0,3) ga (0,7) als 15 nm,
6) Delta-Dotierung mit Si zur Erzeugung der Elektronendichte 5-6 * 10 ^ 11 cm ^ (- 2),
7) Barriere al (0,3) ga (0,7) wie 180 nm,
8) Deckschicht Gaas 15nm.
Quelle: halbleiterwafers.net
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