als führender Hersteller von Verbindungshalbleitermaterial in China. pam-xiamen entwickelt fortschrittliche Kristallwachstums- und Epitaxietechnologien, die von Germaniumwafern der ersten Generation, Galliumarsenid der zweiten Generation mit Substratwachstum und Epitaxie auf iii-v-Silizium-dotierten n-Halbleitermaterialien auf der Basis von ga, al, in, as und p reichen gewachsen von mbe oder mocvd, bis zur dritten Generation: Siliziumkarbid und Galliumnitrid für LED- und Power-Device-Anwendungen.
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