Wir bieten die Wafer-Struktur ingaas Photodetektoren wie folgt an:
Material |
x |
Dicke (nm) |
Dotierstoff |
Doping Konzentration |
inp |
|
1000 |
n (Schwefel) |
3e16 |
in (x) Gaas |
0.53 |
3000 |
u / d |
5e14 |
inp |
|
500 |
n (Schwefel) |
3e16 |
Substrat |
|
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si (fe) |
|
Quelle: pam-Xiamen
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