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Siliziumwafer

2017-12-22

Siliziumwafer

Si-Wafer-Substrat-Silizium
Menge Material Orienta tion. Durchmesser er dick ss Polieren widerstehen vity ty pe Dotiermittel nc Mobi lität epd
Stck (mm) (um ) Ω · cm \u0026 emsp; a / cm 3 cm 2 / vs /cm 2
1-100 si n / a 25.4 280 ssp 1-100 p / b n / a n / a n / a
1-100 si n / a 25.4 280 ssp 1-100 p / b (1-200) e16 n / a n / a
1-100 si (100) 25.4 525 n / a \u0026 lt; 0,005 n / a n / a n / a n / a
1-100 si (100) 25.4 525 ± 25 ssp \u0026 lt; 0,005 n / a n / a n / a n / a
1-100 si mit Oxid  Schicht (100) 25.4 525 ± 25 ssp \u0026 lt; 0,005 n / a n / a n / a n / a
1-100 si (100) 25.4 350-500 ssp 1 ~ 10 n / a n / a n / a n / a
1-100 si (100) 25.4 400 ± 25 p / e \u0026 lt; 0,05 p / n / a n / a n / a
1-100 si (100) 50.4 400 ± 25 p / e \u0026 lt; 0,05 p / n / a n / a n / a
1-100 p-si mit 90 nm  sio2 (100) 50.4 500 ± 25 p / e \u0026 lt; 0,05 p / n / a n / a n / a
1-100 n-Si mit 90 nm  sio2 (100) 50.4 500 ± 25 p / e \u0026 lt; 0,05 n / n / a n / a n / a
1-100 p-si mit 285  nm sio2 (100) 50.4 500 ± 25 p / e \u0026 lt; 0,05 n / n / a n / a n / a
1-100 n-si mit 285  nm sio2 (100) 50.4 500 ± 25 p / e \u0026 lt; 0,05 n / n / a n / a n / a
1-100 si mit Elektroden (100) 50.8 400 n / a \u0026 lt; 0,05 n / p 1e14-1e15 n / a n / a
1-100 si (100) 50.8 275 ssp 1 ~ 10 n / a n / a n / a n / a
1-100 si (100) 50.8 275 ± 25 ssp 1 ~ 10 n / p n / a n / a n / a
1-100 si (111) 50.8 350 ± 15 ssp \u0026 gt; 10000 n / a n / a n / a n / a
1-100 si (100) 50.8 430 ± 15 ssp 5000-8000 n / a n / a n / a n / a
1-100 si (111) 50.8 410 ± 15 ssp 1 ~ 20 n / a n / a n / a n / a
1-100 si (111) 50.8 400-500 ssp \u0026 gt; 5000 n / a n / a n / a n / a
1-100 si (100) 50.8 525 ± 25 ssp 1 ~ 50 n / a n / a n / a n / a
1-100 si (100) 50.8 500 ± 25 ssp 1 ~ 10 n p n / a n / a n / a
1-100 si (100) 50.8 500 ± 25 p / p \u0026 gt; 700 p / n / a n / a n / a
1-100 si (100) 76.2 400 ± 25 p / e \u0026 lt; 0,05 p / n / a n / a n / a
1-100 p-si mit 90 nm  sio2 (100) 76.2 500 ± 25 p / e \u0026 lt; 0,05 p / n / a n / a n / a
1-100 n-Si mit 90 nm  sio2 (100) 76.2 500 ± 25 p / e \u0026 lt; 0,05 n / n / a n / a n / a
1-100 p-si mit 285  nm sio2 (100) 76.2 500 ± 25 p / e \u0026 lt; 0,05 n / n / a n / a n / a
1-100 n-si mit 285  nm sio2 (100) 76.2 500 ± 25 p / e \u0026 lt; 0,05 n / n / a n / a n / a
1-100 si (100) 100 625 ssp \u0026 gt; 10000 n / a n / a n / a n / a
1-100 si (100) 100 525 ssp n / a n / p n / a n / a n / a
1-100 si (100) 100 320 ssp \u0026 gt; 2500 Ohm · cm p / b n / a n / a n / a
1-100 si (100) 100 n / a ssp 10 ~ 30 n / p n / a n / a n / a
1-100 si (100) 100 505 ± 25 ssp 0.005-0.20 n / p-dotiert n / a n / a n / a
1-100 si (100) 100 381 ssp 0.005-0.20 n / p-dotiert n / a n / a n / a
1-100 si (100) 100 525 dsp 1-100 n / a n / a n / a n / a
1-100 si (100) 100 525 dsp 1-100 n / a n / a n / a n / a
1-100 si (100) 100 625 ± 25 ssp 0,001-0,004 n / a n / a n / a n / a
1-100 si mit Oxid  Schicht 3000a (100) 100 675 ± 25 ssp 0,001-0,004 n / a n / a n / a n / a
1-100 si (100) 100 625 ± 25 ssp 0,001-0,004 n / a n / a n / a n / a
1-100 si (100) 100 n / a ssp n / a p / b n / a n / a n / a
1-100 si (100) 100 500 ± 25 ssp 1 ~ 25 n / a n / a n / a n / a
1-100 si (100) 100 500 ssp 1 ~ 10 p / n / a n / a n / a
1-100 si (100) 100 500 ± 25 p / e 1-10 n / n / a n / a n / a
1-100 si (100) 100 500/525 ± 25 p / p 1-10 n / n / a n / a n / a
1-100 si (100) 100 500/525 ± 25 n / a n / a n / a n / a n / a n / a
1-100 si (100) 100 500 ± 25 p / p \u0026 gt; 700 p / n / a n / a n / a
1-100 si (100) 150 675 ± 25 n / a 0,001-0,004 p / b n / a n / a n / a
1-100 si (100) 150 675 ± 25 n / a 0,001-0,004 p / b n / a n / a n / a
1-100 si (100) / (111) 150 550 ~ 650 dsp n / a n / a n / a n / a n / a
1-100 si (100) / (111) 150 600-700 ssp \u0026 lt; 0,5 n / a n / a n / a n / a
1-100 si (111) 150 400 ± 25 dsp \u0026 lt; 50 n / n / a n / a n / a
1-100 si (100) 150 545 p / e 1-3 n / n / a n / a n / a
1-100 si (100) 200 725 ± 25 ssp 1 ~ 25 p / n / a n / a n / a

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