Gallium-Halbleiterwafer
GaAs-Wafersubstrat - Galliumarsenidwww.semiconductorwafers.netwww.semiconductorwafers.net | ||||||||||
Menge | Material | Orientierung. | Durchmesser | Dicke | Polieren | Widerstand | Typ Dotierstoff | nc | Mobilität | epd |
Stck | (mm) | (μm) | Ω · cm | \u0026 emsp; | a / cm3 | cm2 / vs | / cm2 | |||
1-100 | Gaas | ( 100 ) | 25.4 | 4000 ± 50 | dsp | \u0026 gt; 1e7 | undotiert | n / a | n / a | \u0026 lt; 1e5 |
1-100 | Gaas | ( 100 ) | 50.7 | 350-370 | ssp | \u0026 gt; 1e7 | undotiert | n / a | \u0026 gt; 3500 | \u0026 lt; 10000 |
1-100 | Gaas | (100) 2 ° ± 0,50 in Richtung (011) | 50.7 | 350 ± 10 | ssp | (0.8-9) e -3 | n / s | (8) e17 | 2000-3000 | \u0026 lt; 5000 |
1-100 | Gaas | (100) 6 ° ± 0,50 in Richtung (011) | 50.7 | 350 ± 20 | ssp | (0,8-9) × 10 -3 | n / s | (0,2-4) e18 | ≥1000 | ≤5000 |
1-100 | Gaas | ( 100 ) | 50.8 | 350 | ssp | n / a | p / zn | (1-5) e19 | n / a | \u0026 lt; 5000 |
1-100 | Gaas | ( 100 ) | 50.8 | 5000 ± 50 | ssp | \u0026 gt; 1e8 | undotiert | n / a | n / a | n / a |
1-100 | Gaas | ( 100 ) | 50.8 | 4000 ± 50 | ssp | \u0026 gt; 1e7 | undotiert | n / a | n / a | n / a |
1-100 | Gaas | ( 100 ) | 50.8 | 8000 ± 10 | wie geschnitten | \u0026 gt; 1e7 | undotiert | n / a | n / a | n / a |
1-100 | Gaas | ( 100 ) | 50.8 | 8000 ± 10 | dsp | \u0026 gt; 1e7 | undotiert | n / a | n / a | n / a |
1-100 | Gaas | (100) 2 ° | 50.8 | 3000 | ssp | \u0026 gt; 1e7 | n / s | n / a | n / a | n / a |
1-100 | Gaas | ( 100 ) | 50.8 | 350 ± 25 | ssp | \u0026 gt; 1e7 | n / a | (1-5) e19 | n / a | n / a |
1-100 | Gaas | ( 100 ) | 50.8 | 350 ± 25 | ssp | n / a | n / a | (0.4-3.5) e18 | ≥1400 | ≤100 |
1-100 | Gaas | (100) 0 ° oder 2 ° | 76.2 | 130 ± 20 | dsp | n / a | undotiert | n / a | n / a | \u0026 lt; 10000 |
1-100 | Gaas | (100) 2 ° ± 0,50 | 76.2 | 350 ± 25 | ssp | n / a | n / s | (0.4-2.5) e18 | n / a | ≤5000 |
1-100 | Gaas | ( 100 ) | 76.2 | 350 ± 25 | ssp | n / a | n / a | n / a | n / a | n / a |
1-100 | Gaas | ( 100 ) | 76.2 | 350 ± 25 | ssp | \u0026 gt; 1e7 | undotiert | n / a | n / a | ≤8e4 oder 1e4 |
1-100 | Gaas | ( 100 ) | 76.2 | 625 ± 25 | dsp | \u0026 gt; 1e7 | undotiert | n / a | ≥4500 | ≤8e4 oder 1e4 |
1-100 | Gaas | (100) 2 ° ± 0,10 in Richtung (110) | 76.2 | 500 | ssp | \u0026 gt; 1e7 | undotiert | n / a | n / a | n / a |
1-100 | Gaas | (100) 2 ° | 100 | 625 | dsp | \u0026 gt; 1e7 | undotiert | n / a | n / a | n / a |
1-100 | Gaas | (100) 2 ° | 100 | 625 ± 25 | dsp | n / a | n / a | n / a | n / a | n / a |
1-100 | Gaas | (100) 2 ° ± 0,50 in Richtung (011) | 100 | 350 ± 25 | ssp | n / a | n / s | (0.4-3.5) e18 | n / a | ≤5000 |
1-100 | Gaas | (100) 2 ° ± 0,10 in Richtung (110) | 100 | 625 ± 25 | dsp | (1-4) e18 | undotiert | n / a | n / a | n / a |
1-100 | Gaas | (100) 2 ° ± 0,50 in Richtung (011) | 100 | 625 ± 25 | dsp | (1,0-4,0) 1e8 | undotiert | n / a | n / a | n / a |
1-100 | Gaas | (100) 2 ° ± 0,50 in Richtung (011) | 100 | 625 ± 25 | dsp | (1-4) e8 | undotiert | n / a | n / a | n / a |
1-100 | Gaas | (100) 2 ° ± 0,50 in Richtung (011) | 100 | 350 ± 25 | ssp | n / a | n / s | (0,4-4) e18 | n / a | ≤5000 |
1-100 | Gaas | (100) 15 ° ± 0,50 in Richtung (011) | 100 | 350 ± 25 | ssp | n / a | n / s | (0,4-4) e18 | n / a | ≤5000 |
1-100 | Gaas | (100) 2 ° ± 0,50 | 100 | 350 ± 25 | dsp | n / a | n / s | (0,4-4) e18 | n / a | ≤5000 |
1-100 | Gaas | (100) 2 ° ± 0,50 | 100 | 625 ± 25 | ssp | (1-4) e18 | undotiert | n / a | n / a | n / a |
1-100 | Gaas | (100) 2 ° ± 0,50 | 150 | 675 ± 25 | dsp | \u0026 gt; 1e7 | undotiert | n / a | n / a | n / a |
1-100 | Gaas | (100) 0 ° ± 3,0 ° | 150 | 675 ± 25 | dsp | \u0026 gt; 1,0 × 107 | undotiert | n / a | n / a | n / a |
1-100 | Gaas | ( 310 ) | 50.8 / 76.2 | n / a | n / a | n / a | n / a | n / a | n / a | n / a |
als gaas wafer lieferant, bieten wir gaas halbleiterliste für ihre referenz, wenn sie preisdetail benötigen, kontaktieren sie bitte unser vertriebsteam
Hinweis:
*** Als Hersteller akzeptieren wir auch kleine Mengen für Forscher oder Gießereien.
*** lieferzeit: es hängt von lager haben wir, wenn wir lager haben, können wir ihnen bald. *** wir bieten gaas epitaxy service von mbe und mocvd, bitte kontaktieren sie unser vertriebsteam.
Gaswafersubstrat - Galliumantimonid | ||||||||||
Menge | Material | Orientierung. | Durchmesser | Dicke | Polieren | Widerstand | Typ Dotierstoff | nc | Mobilität | epd |
Stck | (mm) | (μm) | Ω · cm | \u0026 emsp; | a / cm3 | cm2 / vs | / cm2 | |||
1-100 | Gas | (100) ± 0,5 | 50.8 | 500 ± 25 | ssp | n / a | te | 1e17 - 5e18 | n / a | \u0026 lt; 1000 |
1-100 | Gas | (111) a ± 0,5 | 50.8 | 500 ± 25 | ssp | n / a | te | 1e17 - 5e18 | n / a | \u0026 lt; 1000 |
1-100 | Gas | (111) b | 50.8 | n / a | n / a | n / a | te | (5-8) e17 | n / a | n / a |
1-100 | Gas | (111) b | 50.8 | n / a | n / a | n / a | undotiert | keiner | n / a | n / a |
1-100 | Gas | (100) ± 0,5 | 50.8 | 500 | ssp | n / a | p / | (1-5) e17cm-3 | n / a | n / a |
1-100 | Gas | (100) ± 0,5 | 50.8 | 500 | ssp | n / a | n / | (1-5) e17cm-3 | n / a | n / a |
1-100 | Gas | (100) ± 0,5 | 50.8 | 500 | ssp | n / a | n / te | (1-8) e17 / (2-7) e16 | n / a | \u0026 lt; 1000 |
1-100 | Gas | ( 100 ) | 50.8 | 450 ± 25 | ssp | n / a | n / a | (1-1.2) e17 | n / a | n / a |
1-100 | Gas | ( 100 ) | 50.8 | 350 ± 25 | ssp | n / a | n / a | n / a | n / a | n / a |
1-100 | Gas | ( 100 ) | 76.8 | 500-600 | n / a | n / a | undotiert | keiner | n / a | n / a |
1-100 | Gas | ( 100 ) | 100 | 800 ± 25 | dsp | n / a | p / zn | n / a | n / a | n / a |
1-100 | Gas | ( 100 ) | 100 | 250 ± 25 | n / a | n / a | p / zno | n / a | n / a | n / a |
als Gaswafer Lieferant, bieten wir Gasb Halbleiterliste für Ihre Referenz, wenn Sie Preis-Detail benötigen, kontaktieren Sie bitte unser Vertriebsteam
Hinweis:
*** Als Hersteller akzeptieren wir auch kleine Mengen für Forscher oder Gießereien.
*** lieferzeit: es hängt von lager wir haben, wenn wir lager haben, können wir ihnen bald versenden.
Spaltwafersubstrat - Gallium-Posphid | ||||||||||
Menge | Material | Orientierung. | Durchmesser | Dicke | Polieren | Widerstand | Typ Dotierstoff | nc | Mobilität | epd |
Stck | (mm) | (μm) | Ω · cm | \u0026 emsp; | a / cm3 | cm2 / vs | / cm2 | |||
1-100 | Spalt | ( 111 ) | 50 | 5000 ± 20 | ssp | n / a | n | n / a | n / a | n / a |
1-100 | Spalt | (111) ± 0,5 ° | 50 ± 0,5 | 300 ± 20 | n / a | n / a | s | (2 ~ 7) × 1e17 | ≥100 | \u0026 lt; 3 × 1e5 |
1-100 | Spalt | (111) ± 0,5 ° | 50 ± 0,5 | 300 ± 20 | n / a | n / a | te | (1 ~ 2) × 1e17 | ≥100 | \u0026 lt; 3 × 1e5 |
Als Gap-Wafer-Anbieter bieten wir Gap-Halbleiter-Liste für Ihre Referenz, wenn Sie Preisdetails benötigen, kontaktieren Sie bitte unser Vertriebsteam
Hinweis:
*** Als Hersteller akzeptieren wir auch kleine Mengen für Forscher oder Gießereien.
*** lieferzeit: es hängt von lager wir haben, wenn wir lager haben, können wir ihnen bald versenden.