Aufgrund der physikalischen und elektronischen Eigenschaften von Silizium eignen sich Geräte auf Siliziumkarbid-Basis gut für optoelektronische, hochtemperatur-, strahlungsresistente und hochleistungsfähige Hochfrequenz-Geräte mit kurzer Wellenlänge, verglichen mit Geräten auf Si und GaAs-Basis.
sic Anwendung
Aufgrund der physikalischen und elektronischen Eigenschaften von Silizium eignen sich Geräte auf Siliziumkarbid-Basis gut für optoelektronische, hochtemperatur-, strahlungsresistente und hochleistungsfähige Hochfrequenz-Geräte mit kurzer Wellenlänge, verglichen mit Geräten auf Si und GaAs-Basis.
iii-v-Nitridabscheidung
gan, alxga1-xn und inyga1-in Epitaxieschichten auf bis zu Substrat oder Saphirsubstrat.
für Pam-Xiamen Galliumnitrid-Epitaxie auf Saphir-Vorlagen, bitte überprüfen Sie:
http://www.powerwaywafer.com/gan-templates.html
für Galliumnitrid-Epitaxie auf sic-Templaten, die zur Herstellung von blauen Leuchtdioden und nahezu solarblinden UV-Photodetektoren verwendet werden
optoelektronische Geräte
sic-basierte Geräte sind:
geringe Gitterfehlanpassung für Nitrid-Epitaxieschichten
hohe Wärmeleitfähigkeit
Überwachung von Verbrennungsprozessen
alle Arten von UV-Erkennung
aufgrund der sic-materialeigenschaften können sic-basierte elektronik und geräte in einer sehr feindlichen umgebung arbeiten, die unter hohen temperaturen, hoher leistung und hohen strahlenbedingungen arbeiten kann
Hochleistungsgeräte
aufgrund der Eigenschaften von sic:
breite Energiebandlücke (4h-sic: 3.26ev, 6h-sic: 3.03ev)
hohes elektrisches Durchbruchsfeld (4h-sic: 2-4 * 108 v / m, 6h-sic: 2-4 * 108 v / m)
hohe Sättigungsdriftgeschwindigkeit (4h-sic: 2,0 * 105 m / s, 6h-sic: 2,0 * 105 m / s)
hohe Wärmeleitfähigkeit (4h-sic: 490 w / mk, 6h-sic: 490 w / mk)
die für die Herstellung von Geräten mit sehr hoher Spannung, hoher Leistung, wie Dioden, Leistungstransistoren und Hochleistungs-Mikrowellengeräten, verwendet werden. Im Vergleich zu herkömmlichen Si-Geräten bietet sic-basiertes Leistungsgerät:
schnellere Schaltgeschwindigkeit
höhere Spannungen
niedrigere parasitäre Widerstände
kleinere Größe
weniger Kühlung erforderlich aufgrund der Hochtemperaturfähigkeit
sic hat eine höhere Wärmeleitfähigkeit als gaas oder si, was bedeutet, dass sic-Geräte theoretisch bei höheren Leistungsdichten arbeiten können als GaAs oder si. eine höhere Wärmeleitfähigkeit in Kombination mit einer großen Bandlücke und einem hohen kritischen Feld verleihen den Halbleiterhalbleitern einen Vorteil, wenn eine hohe Leistung ein wichtiges Bauelementmerkmal ist.
Zur Zeit wird Siliciumcarbid (sic) häufig für Hochleistungs-MMIC verwendet
Anwendungen. sic wird auch als Substrat für Epitaxie verwendet
Wachstum von Gan für noch leistungsstärkere Geräte
Hochtemperaturgeräte
Aufgrund der hohen Wärmeleitfähigkeit wird der Leiter schneller erwärmt als andere Halbleitermaterialien.
Dies ermöglicht sic-Geräten, mit extrem hohen Leistungspegeln zu arbeiten und dennoch die großen Mengen überschüssiger Wärme abzuleiten, die erzeugt werden
Hochfrequenz-Leistungsgeräte
sic-basierte Mikrowellenelektronik wird für drahtlose Kommunikation und Radar verwendet
Für die Detailanwendung von SIC-Substrat können Sie Detailanwendungen von Siliziumkarbid lesen.
Für die Entwicklung von Siliziumkarbid-Bauelementen bieten wir kundenspezifische Dünnfilm-Silizium-Epitaxie auf 6h- oder 4h-Substraten an. sic epi wafer wird hauptsächlich für Schottky-Dioden, Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren, Sperrschicht-Feldeffekttransistoren, bipolare Sperrschichttransistoren, Thyristoren, GTO und Bipolar mit isoli4
pam-xiamen bietet Halbleiter Siliziumkarbid Wafer, 6h sic und 4h sic in verschiedenen Qualitäten für den Forscher und Industriehersteller. wir haben sic Kristallwachstumstechnologie und sic Kristallwafer-Verarbeitungstechnologie entwickelt, etablierte eine produktionslinie zu hersteller sic substrat, die in gan epitaxie gerät, power geräte, Hochtem4
pam-xiamen ist in der Lage, die folgenden sic reclaim wafer services anzubieten.
cz-Silizium das schwer / leicht dotierte cz monokristalline silizium eignet sich zur herstellung verschiedener integrierter schaltkreise (ic), dioden, trioden, grün-energie solarpanels. die speziellen Elemente (wie ga, ge) können hinzugefügt werden, um die hocheffizienten, strahlungsresistenten und anti-degenerierenden Solarzellenmaterialien für sp4
xiamen powerway bietet inp wafer - indiumphosphid an, die durch lec (liquid verkapselte czochralski) oder vgf (vertical gradient freeze) als epi-ready oder mechanische grade mit n typ, p typ oder semiisolierend in unterschiedlicher orientierung (111) oder ( 100).
Pam-Xiamen Angebote Photomasken Eine Photomaske ist eine dünne Beschichtung aus Maskierungsmaterial, die von einem dickeren Substrat getragen wird, und das Maskierungsmaterial absorbiert Licht in unterschiedlichem Maße und kann mit einem kundenspezifischen Design gemustert werden. Das Muster wird verwendet, um Licht zu modulieren und das Muster dur4
pam bietet Halbleitermaterialien, Einkristall (ge) Germaniumwafer, die von vgf / lec gezüchtet werden
fz-Silizium das monokristalline Silizium mit den Eigenschaften eines niedrigen Fremdstoffgehalts, einer geringen Defektdichte und einer perfekten Kristallstruktur wird mit dem Float-Zone-Verfahren hergestellt; während des Kristallwachstums wird kein Fremdmaterial eingeführt. die fz-Silizium-Leitfähigkeit liegt üblicherweise über 1000 Ω-cm, und das 4
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