In der vorliegenden Arbeit werden Versetzungsarrays in Floatzonen (fz) gezüchteten Siliziumwafern durch die lichtinduzierte Strom (lbic) Kartierungstechnik bei verschiedenen Wellenlängen und durch transiente Tiefenspektroskopie (dlts) untersucht. Die lbic-Technik scheint in der Lage zu sein, diese Arrays zu erkennen und zu detektieren und ihre Rekombinationsstärke zu bewerten. Bei fz-dislozierten Wafern schwächt eine Phosphordiffusion in Abhängigkeit von der Dauer und der Temperatur der Behandlung den lbischen Kontrast der Dislokationen stark ab. die elektrische Aktivität bei Raumtemperatur der noch physikalisch vorhandenen Defekte scheint zu verschwinden. gleichzeitig ist die Peakintensität von dlts-Spektren in Bezug auf Versetzungen reduziert und diese Entwicklung hängt von der Phosphordiffusionstemperatur und -dauer ab.
Schlüsselwörter
Schwimmzone; Rekombinationsstärke; Siliziumscheibe
Quelle: sciencedirect
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