Es werden Hochleistungs-Breitband-Inganas / GaAs-Quanten-Well (qw) kantenemittierende Laser auf Gaas-Substraten im Bereich von 1200 nm beschrieben. Die epitaktischen Schichten der Inganas / Gaas-qw-Laserwafer wurden auf n \u0026 spplus; -Gas-Substraten unter Verwendung von metallorganischer chemischer Dampfabscheidung (Mocvd) gezüchtet. Die Dicke der Schichten inganas / Gaas qw beträgt 70 Å / 1200 Å. der Indiumgehalt (x) der inxga1-xnyas1-yqw-Schichten wird auf 0,35-0,36 geschätzt, während der Stickstoffgehalt (y) auf 0,006-0,009 geschätzt wird. mehr indiumgehalt (in) und stickstoffgehalt (n) in der inganas qw schicht ermöglicht die laseremission bis zu 1300 nm bereich. die Qualität der Epitaxieschicht ist jedoch durch die Spannung in der aufgewachsenen Schicht begrenzt. Die Geräte wurden mit verschiedenen Stegbreiten von 5 bis 50 μm hergestellt. eine sehr niedrige Schwellenstromdichte (jth) von 80 a / cm 2 wurde für die 50 μm × 500 μmld erhalten. Eine Reihe von Inganas / Gaas Epi-Wafern wurden zu großflächigen LDs verarbeitet. für die großflächigen inganas / gaas qw lds wurde eine maximale ausgangsleistung von 95 mw gemessen. Die Schwankungen der Ausgangsleistungen der großflächigen LEDs sind hauptsächlich auf spannungsinduzierte Defekte der Inganas-qw-Schichten zurückzuführen.

Quelle: sciencedirect

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