pwam entwickelt und fertigt Verbundhalbleitersubstrate - Galliumarsenidkristall und -wafer. Wir haben fortschrittliche Kristallzüchtungstechnologie, vertikales Gradientenfrosten (vgf) und Gaas-Wafer-Bearbeitungstechnologie verwendet, eine Produktionslinie vom Kristallwachstum, Schneiden, Schleifen bis zur Polierbearbeitung etabliert und gebaut ein Reinraum der 100 Klasse für die Reinigung und Verpackung von Wafern. Unsere GaAs Wafer enthalten 2 ~ 6 Zoll Barren / Wafers für LED, LD und Microelectronics Anwendungen. Wir sind immer auf die Verbesserung der Qualität von derzeit substates und die Entwicklung von großen Substraten gewidmet.
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1(gaas) Galliumarsenid-Wafer
pwam entwickelt und fertigt Verbundhalbleitersubstrate - Galliumarsenidkristall und -wafer. Wir haben fortschrittliche Kristallzüchtungstechnologie, vertikales Gradientenfrosten (vgf) und Gaas-Wafer-Bearbeitungstechnologie verwendet, eine Produktionslinie vom Kristallwachstum, Schneiden, Schleifen bis zur Polierbearbeitung etabliert und gebaut ein Reinraum der 100 Klasse für die Reinigung und Verpackung von Wafern. Unsere GaAs Wafer enthalten 2 ~ 6 Zoll Barren / Wafers für LED, LD und Microelectronics Anwendungen. Wir sind immer auf die Verbesserung der Qualität von derzeit substates und die Entwicklung von großen Substraten gewidmet.
(GaAs) Galliumarsenid-Wafer für LED-Anwendungen
|
Artikel |
Spezifikationen |
Bemerkungen |
|
Leitungstyp |
sc / n-Typ |
sc / p-Typ mit Zn Dope verfügbar |
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Wachstumsmethode |
vgf |
u0026 emsp; |
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Dotierstoff |
Silizium |
zn verfügbar |
|
Waferdurchmesser |
2, 3 & 4 Zoll |
Barren oder As-Cut verfügbar |
|
Kristall Orientierung |
(100) 2 / 6 /15 aus (110) |
andere Fehlorientierung verfügbar |
|
von |
ej oder wir |
u0026 emsp; |
|
Träger Konzentration |
(0,4 ~ 2,5) e18 / cm 3 |
u0026 emsp; |
|
Widerstand bei rt |
(1,5 ~ 9) e-3 ohm.cm |
u0026 emsp; |
|
Mobilität |
1500 ~ 3000 cm 2 /v.sec |
u0026 emsp; |
|
Ätzgrübchendichte |
u0026 lt; 5000 / cm 2 |
u0026 emsp; |
|
Laserbeschriftung |
auf Anfrage |
u0026 emsp; |
|
Oberflächenfinish |
p / e oder p / p |
u0026 emsp; |
|
Dicke |
220 ~ 450um |
u0026 emsp; |
|
Epitaxie bereit |
Ja |
u0026 emsp; |
|
Paket |
Einzelwafer Behälter oder Kassette |
u0026 emsp; |
(GaAs) Galliumarsenid-Wafer für LD-Anwendungen
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Artikel |
Spezifikationen |
Bemerkungen |
|
Leitungstyp |
sc / n-Typ |
u0026 emsp; |
|
Wachstumsmethode |
vgf |
u0026 emsp; |
|
Dotierstoff |
Silizium |
u0026 emsp; |
|
Waferdurchmesser |
2, 3 & 4 Zoll |
Barren oder As-Cut verfügbar |
|
Kristall Orientierung |
(100) 2 / 6 /15 aus (110) |
andere Fehlorientierung verfügbar |
|
von |
ej oder wir |
u0026 emsp; |
|
Träger Konzentration |
(0,4 ~ 2,5) e18 / cm 3 |
u0026 emsp; |
|
Widerstand bei rt |
(1,5 ~ 9) e-3 ohm.cm |
u0026 emsp; |
|
Mobilität |
1500 ~ 3000 cm 2 /v.sec |
u0026 emsp; |
|
Ätzgrübchendichte |
u0026 lt; 500 / cm 2 |
u0026 emsp; |
|
Laserbeschriftung |
auf Anfrage |
u0026 emsp; |
|
Oberflächenfinish |
p / e oder p / p |
u0026 emsp; |
|
Dicke |
220 ~ 350um |
u0026 emsp; |
|
Epitaxie bereit |
Ja |
u0026 emsp; |
|
Paket |
Einzelwafer Behälter oder Kassette |
u0026 emsp; |
(gaas) Galliumarsenidwafer, halbisolierend für Mikroelektronikanwendungen
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Artikel |
Spezifikationen |
Bemerkungen |
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Leitungstyp |
isolierend |
u0026 emsp; |
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Wachstumsmethode |
vgf |
u0026 emsp; |
|
Dotierstoff |
undotiert |
u0026 emsp; |
|
Waferdurchmesser |
2, 3 & 4 Zoll |
Barren verfügbar |
|
Kristall Orientierung |
(100) +/- 0,5 |
u0026 emsp; |
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von |
Ej, uns oder Kerbe |
u0026 emsp; |
|
Träger Konzentration |
n / a |
u0026 emsp; |
|
Widerstand bei rt |
u0026 gt; 1e7 Ohm.cm |
u0026 emsp; |
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Mobilität |
u0026 gt; 5000 cm 2 /v.sec |
u0026 emsp; |
|
Ätzgrübchendichte |
u0026 lt; 8000 / cm 2 |
u0026 emsp; |
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Laserbeschriftung |
auf Anfrage |
u0026 emsp; |
|
Oberflächenfinish |
p / p |
u0026 emsp; |
|
Dicke |
350 ~ 675um |
u0026 emsp; |
|
Epitaxie bereit |
Ja |
u0026 emsp; |
|
Paket |
Einzelwafer Behälter oder Kassette |
u0026 emsp; |
6 "(GaAs) Galliumarsenidwafer, halbisolierend für Mikroelektronikanwendungen
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Artikel |
Spezifikationen |
Bemerkungen |
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Leitungstyp |
halbisolierend |
u0026 emsp; |
|
Methode wachsen |
vgf |
u0026 emsp; |
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Dotierstoff |
undotiert |
u0026 emsp; |
|
Art |
n |
u0026 emsp; |
|
Durchmesser (mm) |
150 ± 0,25 |
u0026 emsp; |
|
Orientierung |
(100) 0 ± 3,0 |
u0026 emsp; |
|
Einkerbung Orientierung |
〔 010 〕 ± 2 |
u0026 emsp; |
|
Kerbtiefe (mm) |
(1-1,25) mm 89 -95 |
u0026 emsp; |
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Träger Konzentration |
n / a |
u0026 emsp; |
|
Widerstand (Ohm.cm) |
u003e 1,0 × 10 7 oder 0.8-9 x10 -3 |
u0026 emsp; |
|
Mobilität (cm2 / vs.) |
n / a |
u0026 emsp; |
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Luxation |
n / a |
u0026 emsp; |
|
Dicke (μm) |
675 ± 25 |
u0026 emsp; |
|
Randausschluss für Bogen und Warp (mm) |
n / a |
u0026 emsp; |
|
Bogen (μm) |
n / a |
u0026 emsp; |
|
Kette (μm) |
≤20,0 |
u0026 emsp; |
|
ttv (μm) |
≤ 10.0 |
u0026 emsp; |
|
tir (μm) |
≤10,0 |
u0026 emsp; |
|
Ifpd (μm) |
n / a |
u0026 emsp; |
|
Polieren |
p / p epi-bereit |
u0026 emsp; |
2 "lt-Gaas (Tieftemperatur-gewachsenes Galiumarsenid) -Waferspezifikationen
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Artikel |
Spezifikationen |
Bemerkungen |
|
Durchmesser (mm) |
Ä 50,8 mm ± 1 mm |
u0026 emsp; |
|
Dicke |
1-2um oder 2-3um |
u0026 emsp; |
|
Marco-Defekt Dichte |
≤ 5 cm -2 |
u0026 emsp; |
|
Widerstand (300k) |
u0026 gt; 10 8 Ohm-cm |
u0026 emsp; |
|
Träger |
u003c 0,5 ps |
u0026 emsp; |
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Luxation Dichte |
u0026 lt; 1x10 6 cm -2 |
u0026 emsp; |
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Nutzbare Oberfläche Bereich |
≥ 80% |
u0026 emsp; |
|
Polieren |
einzelne Seite poliert |
u0026 emsp; |
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Substrat |
Gaas-Substrat |
u0026 emsp; |
* wir können auch polykristalline gaas bar, 99,9999% (6n) zur Verfügung stellen.
wir stellen verschiedene Arten von Epi-Wafer iii-v-Silizium-dotierten n-Typ-Halbleitermaterialien her, basierend auf ga, al, in, as und p, die durch mbe oder mocvd gezüchtet wurden. Wir liefern kundenspezifische Strukturen nach Kundenspezifikationen. Bitte kontaktieren Sie uns für weitere Informationen.
pam-xiamens Gan (Galliumnitrid) -basierter LED-Epitaxialwafer ist für Anwendungen mit ultrahoher Helligkeit für blaue und grüne Leuchtdioden (LED) und Laserdioden (LD) geeignet.
Xiamen Powerway bietet Gas Wafer - Gallium Antimonid, die durch Lec (Flüssigkeit eingekapselt Czochralski) als Epi-Ready oder mechanische Klasse mit n-Typ, p-Typ oder semi-isolierende in unterschiedlicher Orientierung (111) gewachsen oder (100)
pam-xiamen's Template-Produkte bestehen aus kristallinen Schichten aus Galliumnitrid (gan), Aluminiumnitrid (aln), Aluminiumgalliumnitrid (algan) und Indiumgalliumnitrid (ingan), die auf Saphirsubstraten abgeschieden sind, Die Templatprodukte von Siliciumcarbid oder Siliciumpam-Xiamen ermöglichen 20-50% kürzere Epitaxiezykluszeiten und höherwertige4
Aufgrund der physikalischen und elektronischen Eigenschaften von Silizium eignen sich Geräte auf Siliziumkarbid-Basis gut für optoelektronische, hochtemperatur-, strahlungsresistente und hochleistungsfähige Hochfrequenz-Geräte mit kurzer Wellenlänge, verglichen mit Geräten auf Si und GaAs-Basis.
pam-xiamen stellt czt-basierte Detektoren durch Festkörperdetektortechnologie für Röntgen- oder Gammastrahlen bereit, die eine bessere Energieauflösung im Vergleich zu einem Szintillationskristall-basierten Detektor, einschließlich czt-Planardetektor, czt-pixilierter Detektor, czt-co-planares gri, aufweist
pam-xiamen bietet Halbleiter Siliziumkarbid Wafer, 6h sic und 4h sic in verschiedenen Qualitäten für den Forscher und Industriehersteller. wir haben sic Kristallwachstumstechnologie und sic Kristallwafer-Verarbeitungstechnologie entwickelt, etablierte eine produktionslinie zu hersteller sic substrat, die in gan epitaxie gerät, power geräte, Hochtem4
Pam-Xiamen bietet Photoresistplatte mit Photoresist Wir können Nanolithographie (Photolithographie) anbieten: Oberflächenvorbereitung, Photoresistauftragung, Weichbrand, Ausrichtung, Belichtung, Entwicklung, Hartbrand, Entwicklungsinspektion, Ätzen, Entfernung von Fotolack (Streifen), Endkontrolle.
Kontakt Informationen
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
