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Gan-basierter LED-Epitaxialwafer
pam-xiamens Gan (Galliumnitrid) -basierter LED-Epitaxialwafer ist für Anwendungen mit ultrahoher Helligkeit für blaue und grüne Leuchtdioden (LED) und Laserdioden (LD) geeignet. -
Gan-HaMt-Epitaxialwafer
Galliumnitrid (Gan) Hemts (Transistoren mit hoher Elektronenbeweglichkeit) sind die nächste Generation von HF-Leistungstransistor-Technologie. Dank der Gan-Technologie bieten Pam-Xiamen nun Algan / Gan-Hemt-Epi-Wafer auf Saphir oder Silizium und Algan / Gan auf Saphir-Template . -
Gaas Epiwafer
wir stellen verschiedene Arten von Epi-Wafer iii-v-Silizium-dotierten n-Typ-Halbleitermaterialien her, basierend auf ga, al, in, as und p, die durch mbe oder mocvd gezüchtet wurden. Wir liefern kundenspezifische Strukturen nach Kundenspezifikationen. Bitte kontaktieren Sie uns für weitere Informationen. -
Ge (Germanium) -Einkristalle und -Wafer
pam bietet Halbleitermaterialien, Einkristall (ge) Germaniumwafer, die von vgf / lec gezüchtet werden -
epitaktischer Siliziumwafer
Silizium-Epitaxie-Wafer (Epi-Wafer) ist eine Schicht aus Einkristall-Silizium auf einem Einkristall-Silizium-Wafer abgeschieden (Anmerkung: es ist verfügbar, um eine Schicht aus polykristallinen Silizium-Schicht auf einem hoch dotierten einkristallinen Silizium-Wafer wachsen, aber es braucht Pufferschicht (wie Oxid oder Poly-Si) zwischen dem Bulk-Si-Substrat und der oberen EpitaxieschichtHot Tags : Epi-Silizium-Wafer epitaktischer Siliziumwafer Hersteller von Epitaxialwafern Epi-Wafer-Hersteller Silizium auf Isolator
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