der Ätzwafer hat die Eigenschaften einer geringen Rauhigkeit, eines guten Glanzes und relativ niedriger Kosten und ersetzt direkt den polierten Wafer oder den epitaktischen Wafer, der relativ hohe Kosten aufweist, um die elektronischen Elemente in einigen Gebieten herzustellen, um die Kosten zu reduzieren. Es gibt Wafer mit geringer Rauhigkeit, geringer Reflektivität und hoher Reflektivität.
Ätzen Wafer
das Ätzen Wafer hat die Eigenschaften von geringer Rauhigkeit, gutem Glanz und relativ geringen Kosten und substituiert direkt den polierten Wafer oder epitaktischen Wafer, der relativ hohe Kosten aufweist, um die elektronischen Elemente in einigen Bereichen herzustellen, um die Kosten zu reduzieren. es gibt die geringe Rauheit, die geringe Reflektivität und die hohe Reflektivität Ätzen von Wafern .
unsere Vorteile auf einen Blick
1. fortgeschrittene Epitaxie-Wachstumsgeräte und Testgeräte.
2. bieten die höchste Qualität mit geringer Fehlerdichte und guter Oberflächenrauigkeit.
3. starke Unterstützung des Forschungsteams und Technologieunterstützung für unsere Kunden
fz Ätzen Wafer Spezifikationen
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Art |
Leitungstyp |
Orientierung |
Durchmesser Umfang (mm) |
Widerstand Umfang (Ω cm) |
geometrisch Parameter, Körnigkeit, Oberflächenmetall |
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fz |
n & p |
u0026 lt; 100 u0026 gt; & u0026 lt; 111 u0026 gt; |
76.2-200 |
u0026 gt; 1000 |
t≥180 ( Äh ) ttv≤2 ( Äh ) tir≤2 ( Äh ) das Maximum Reflektivität könnte 90% betragen |
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NTDFZ |
n |
u0026 lt; 100 u0026 gt; & u0026 lt; 111 u0026 gt; |
76.2-200 |
30-800 |
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cfz |
n & p |
u0026 lt; 100 u0026 gt; & u0026 lt; 111 u0026 gt; |
76.2-200 |
1-50 |
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gdfz |
n & p |
u0026 lt; 100 u0026 gt; & u0026 lt; 111 u0026 gt; |
76.2-200 |
0,001-300 |
cz Ätzwafer Spezifikationen
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Art |
Leitungstyp |
Orientierung |
Durchmesser Umfang (mm) |
Widerstand Umfang (Ω cm) |
geometrisch Parameter, Körnigkeit, Oberflächenmetall |
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MCZ |
n & p |
u0026 lt; 100 u0026 gt; u0026 lt; 110 u0026 gt; & u0026 lt; 111 u0026 gt; |
76.2-200 |
1-300 |
t≥180 ( Äh ) ttv≤2 ( Äh ) tir≤2 ( Äh ) das Maximum Reflektivität könnte 90% betragen |
|
cz |
n & p |
u0026 lt; 100 u0026 gt; u0026 lt; 110 u0026 gt; & u0026 lt; 111 u0026 gt; |
76.2-200 |
1-300 |
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mcz schwer dotiert |
n & p |
u0026 lt; 100 u0026 gt; u0026 lt; 110 u0026 gt; & u0026 lt; 111 u0026 gt; |
76.2-200 |
0.001-1 |
fz-Silizium das monokristalline Silizium mit den Eigenschaften eines niedrigen Fremdstoffgehalts, einer geringen Defektdichte und einer perfekten Kristallstruktur wird mit dem Float-Zone-Verfahren hergestellt; während des Kristallwachstums wird kein Fremdmaterial eingeführt. die fz-Silizium-Leitfähigkeit liegt üblicherweise über 1000 Ω-cm, und das 4
pam-xiamen bietet Dummy-Wafer / Test-Wafer / Monitor-Wafer
cz-Silizium das schwer / leicht dotierte cz monokristalline silizium eignet sich zur herstellung verschiedener integrierter schaltkreise (ic), dioden, trioden, grün-energie solarpanels. die speziellen Elemente (wie ga, ge) können hinzugefügt werden, um die hocheffizienten, strahlungsresistenten und anti-degenerierenden Solarzellenmaterialien für sp4
Silizium-Epitaxie-Wafer (Epi-Wafer) ist eine Schicht aus Einkristall-Silizium auf einem Einkristall-Silizium-Wafer abgeschieden (Anmerkung: es ist verfügbar, um eine Schicht aus polykristallinen Silizium-Schicht auf einem hoch dotierten einkristallinen Silizium-Wafer wachsen, aber es braucht Pufferschicht (wie Oxid oder Poly-Si) zwischen dem Bulk-S4
fz polierte Wafer, hauptsächlich für die Herstellung von Silizium-Gleichrichter (sr), Silizium gesteuerten Gleichrichter (scr), Riesen-Transistor (gtr), Thyristor (gro)
fz-Silizium das monokristalline Silizium mit den Eigenschaften eines niedrigen Fremdstoffgehalts, einer geringen Defektdichte und einer perfekten Kristallstruktur wird mit dem Float-Zone-Verfahren hergestellt; während des Kristallwachstums wird kein Fremdmaterial eingeführt. die fz-Silizium-Leitfähigkeit liegt üblicherweise über 1000 Ω-cm, und das 4
Aufgrund der physikalischen und elektronischen Eigenschaften von Silizium eignen sich Geräte auf Siliziumkarbid-Basis gut für optoelektronische, hochtemperatur-, strahlungsresistente und hochleistungsfähige Hochfrequenz-Geräte mit kurzer Wellenlänge, verglichen mit Geräten auf Si und GaAs-Basis.
wir stellen verschiedene Arten von Epi-Wafer iii-v-Silizium-dotierten n-Typ-Halbleitermaterialien her, basierend auf ga, al, in, as und p, die durch mbe oder mocvd gezüchtet wurden. Wir liefern kundenspezifische Strukturen nach Kundenspezifikationen. Bitte kontaktieren Sie uns für weitere Informationen.
Kontakt Informationen
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