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Struktur für Ingaas-Photodetektoren

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Struktur für Ingaas-Photodetektoren

2015-12-13

Wir bieten die Wafer-Struktur ingaas Photodetektoren wie folgt an:


Material

x

Dicke (nm)

Dotierstoff

Doping  Konzentration

inp

\u0026 emsp;

1000

n (Schwefel)

3e + 16

in (x) Gaas

0.53

3000

u / d

5e + 14

inp

\u0026 emsp;

500

n (Schwefel)

3e + 16

Substrat

\u0026 emsp;

\u0026 emsp;

si (fe)

\u0026 emsp;


Quelle: halbleiterwafers.net


Für weitere Informationen besuchen Sie bitte unsere Website: http://www.semiconductorwafers.net ,

Senden Sie uns eine E-Mail an angel.ye@powerwaywafer.com oder powerwaymaterial@gmail.com .


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