wir stellen Wafer von n + oder p + Gaas Epi mit Alas-Schicht auf n + oder p + Gaas Substrat wie folgt bereit:

Nr.1 Spezifikation: 2-Zoll-P + Gaas Epi mit Alas-Schicht auf P + Gaas-Substrat.

Struktur (von unten nach oben):

Schicht0: 350 um p + halbleitendes Gaas-Substrat, \u0026 gt; e18-Dotierung, irgendein Dotierstofftyp

Schicht 1: 300 nm p + halbleitende Gaas-Pufferschicht, \u0026 gt; e18 Dotierungskonzentration, beliebiger Dotiertyp

Schicht 2: 10 nm undotiert (die Alas-Schicht muss mit as2 [Dimer] und nicht mit As4 [Tetramer] wachsen),

Schicht 3: 2 um p + halbleitende GaAs-Epitaxieschicht, \u0026 gt; e18 Dotierungskonzentration, irgendein Dotierstofftyp

Nr. 2 Spezifikation: 2-Zoll-n + Gaas Epi mit Alas-Schicht auf n + Gaas Substrat.

Struktur (von unten nach oben):

Schicht 0: 350 um n + halbleitendes GaAs-Substrat, Si-Dotierung mit \u0026 gt; e18-Dotierung

Schicht 1: 300 nm n + halbleitende GaAs-Pufferschicht, Si-Dotierung mit \u0026 gt; e18 Dotierungskonzentration

Schicht 2: 10 nm undotiert (die Alas-Schicht muss mit as2 [Dimer] und nicht mit As4 [Tetramer] wachsen),

Schicht 3: 2 um n + halbleitende GaAs-Epi-Schicht, Si-Dotierung mit \u0026 gt; e18 Dotierungskonzentration

no.3 spec: 2-Zoll-Gaas - leider zwei-Barriere-Struktur:

1 Schicht: Kontakt, Gaas, Trägerkonzentration 10e18 cm-3, 100 nm

2 Schicht: Spacer, Gaas, undotiert, 10 nm

3 Schicht: Barriere, leider, undotiert, 2,3 nm

4-Schicht: Quantentopf, GaAs, undotiert, 4,5 nm

5 Schicht: Barriere, leider, undotiert, 2 nm

6 Schicht: Spacer, Gaas, undotiert, 40 nm

7 Schicht: Kontakt, Gaas, Trägerkonzentration 10e18 cm-3, 500 nm

no.4 spec: 20nm undoed gaas / 10nm leider auf gaas s.i. Substrat (kein DRAM, kein SRAM, keine Speicherchips - nur Wafer).

Anisotropie der Wärmeleitfähigkeit in Gaas / Alas-Übergittern

Wir kombinieren die transiente thermische Gitter- und Zeitdomänen-Thermoreflexionstechniken, um die anisotropen Wärmeleitfähigkeiten von GaAs / Alas-Übergittern vom selben Wafer zu charakterisieren. die transiente Gittertechnik ist nur für die Wärmeleitfähigkeit in der Ebene empfindlich, während die Temperaturreflexion im Zeitbereich für die Wärmeleitfähigkeit in der Querrichtung empfindlich ist, was sie zu einer wirkungsvollen Kombination macht, um die mit der Charakterisierung der anisotropen Wärmeleitung verbundenen Probleme zu lösen Filme. Wir vergleichen die experimentellen Ergebnisse aus den Gaas / Alas-Übergittern mit ersten Prinzipien und früheren Messungen von si / ge sls. die gemessene Anisotropie ist kleiner als die von si / ge sls, was sowohl mit dem Massen-Mismatch-Bild der Grenzflächenstreuung als auch mit den Ergebnissen von Berechnungen aus der Dichtefunktionalen Störungstheorie unter Einbeziehung der Grenzflächenmischung übereinstimmt.

Quelle: halbleiterwafers.net

Für weitere Informationen besuchen Sie bitte unsere Website: http://www.semiconductorwafers.net ,

Senden Sie uns eine E-Mail an luna@powerwaywafer.com oder powerwaymaterial@gmail.com .