GaSb-Epischichten wurden auf Si (001) unter Verwendung von Molekularstrahlepitaxie über AlSb-Quantenpunkte als ein Interfacial Misfit (IMF)-Array zwischen den Si-Substraten gezüchtetund GaSb-Epischichten. Die Auswirkung der IMF-Array-Dicke, der Wachstumstemperatur und des Nachglühens auf die Oberflächenmorphologie, die strukturellen und optischen Eigenschaften des GaSb auf Si wurden untersucht. Unter fünf verschiedenen IMF-Array-Dicken (5, 10, 20, 40 und 80 ml), die in dieser Studie verwendet wurden, wurde das beste Ergebnis von der Probe mit einem 20-ml-AlSb-IMF-Array erzielt. Zusätzlich wurde festgestellt, dass, obwohl die aus hochauflösenden Röntgenbeugungskurven erhaltenen Dichten bei voller Breite bei halbem Maximum (FWHM) und Fadenversetzungsdichten (TD) durch Erhöhen der Wachstumstemperatur verbessert werden können, eine Abnahme des Photolumineszenzsignals (PL) auftritt und eine Erhöhung der Oberflächenrauhigkeit (RMS) auftrat. Andererseits zeigen die Ergebnisse, dass durch die Anwendung von Post-Tempering die Kristallqualität der GaSb-Epischicht in Bezug auf FWHM, TD-Dichte, PL-Signal oder RMS in Abhängigkeit von der Post-Annealing-Temperatur. Durch 30-minütiges Nachglühen bei 570 °C erreichen wir einen FWHM-Wert von 260 Bogensekunden für eine Dicke von 1 μmGaSb-Epilayer auf Si (001) und verbessern die PL-Signalintensität, ohne den RMS-Wert zu verschlechtern.

Quelle: IOPscience

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