Wir haben das flächenselektive Wachstum von GaN durchgeführt und InGaN/GaN-MQWs auf nicht- und semipolaren Bulk-GaN-Substraten durch MOVPE hergestellt. Die Unterschiede in den GaN-Strukturen und dem In-Einbau von InGaN/GaN-MQWs, die auf nicht- und semipolaren GaN-Substraten gewachsen sind, wurden untersucht. Beim flächenselektiven Wachstum wurden unterschiedliche GaN-Strukturen auf GaN-, GaN- und GaN-Substraten erhalten. Auf GaN erschien ein sich wiederholendes Muster aus und Facetten. Dann haben wir InGaN/GaN-MQWs auf den Facettenstrukturen auf GaN hergestellt. Die durch Kathodolumineszenz gekennzeichneten Emissionseigenschaften waren für und Facetten unterschiedlich. Andererseits wurden bei InGaN/GaN-MQWs auf nicht- und semipolaren GaN-Substraten Stufen entlang der a-Achse durch AFM beobachtet. Insbesondere auf GaN traten Wellen und Wellenbündel auf. Die Photolumineszenzcharakterisierung zeigte, dass der In-Einbau mit dem Abweichungswinkel von der m-Ebene zunahm und auch von der Polarität abhing.

Quelle: IOPscience

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