Um die Ladungstransporteigenschaften von CdZnTe-Kristallen mit hohem spezifischem Widerstand, die mit In/Al dotiert sind, wie gezüchtet zu bewerten, wurde die spektroskopische Reaktion der α-Teilchen unter Verwendung einer nicht kollimierten radioaktiven Quelle mit 241 Am (5,48 MeV) bei Raumtemperatur gemessen. Die Elektronenmobilitäts-Lebensdauerprodukte (μτ)e der CdZnTe-Kristalle wurden vorhergesagt, indem man Plots der Position des Photopeaks gegen die elektrische Feldstärke unter Verwendung der Einzelträger-Hecht-Gleichung anpasste. Eine TOF-Technik wurde verwendet, um die Elektronenmobilität für CdZnTe-Kristalle zu bewerten. Die Mobilität wurde durch Anpassung der Elektronendriftgeschwindigkeiten als Funktion der elektrischen Feldstärken erhalten, wobei die Driftgeschwindigkeiten durch Analyse der Anstiegszeitverteilungen der von einem Vorverstärker gebildeten Spannungspulse erhalten wurden. Ein hergestellter planarer CdZnTe-Detektor, der auf einem mit niedriger In-Konzentration dotierten CdZnTe-Kristall mit (μτ)e = 2,3 × 10−3 cm2/V bzw. μe = 1000 cm2/(V dot ms) basiert, weist eine hervorragende γ-Strahlen-Spektralauflösung auf von 6,4 % (FWHM = 3,8 keV) für ein unkollimiertes 241Am @ 59,54 keV-Isotop.

Quelle: IOPscience

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