Die elektrischen Eigenschaften von bei Raumtemperatur gebondeten Wafern aus Materialien mit unterschiedlichen Gitterkonstanten, wie p-GaAs und n-Si, p-GaAs und n-Si [beide mit einer Oberflächenschicht aus Indium-Zinn-Oxid (ITO)] und n -GaN und p-GaAs, wurden untersucht. Die gebondete p-GaAs//n-Si-Probe zeigte einen elektrischen Grenzflächenwiderstand von 2,8 × 10 –1 Ω 
cm 2 und zeigte ohmsche Eigenschaften. Im Gegensatz dazu zeigte die gebondete p-GaAs/ITO//ITO/n-Si-Probe Schottky-ähnliche Eigenschaften. Die gebondete n-GaN//p-GaAs-Waferprobe zeigte ohmsche Eigenschaften mit einem Grenzflächenwiderstand von 2,7 Ω cm 2 . Unseres Wissens nach ist dies der erste gemeldete Fall eines gebondeten GaN//GaAs-Wafers mit niedrigem elektrischem Widerstand.
Quelle: IOPscience
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