Der  a -Achsen- Gitterparameter von Bi 2 Se 3  ist nahezu identisch mit der Gitterperiodizität der InP (1 1 1)-Oberfläche. Wir erhalten folglich bemerkenswert glatte Bi 2 Se 3  (0 0 0 1)-Schichten in Hot-Wall-Epitaxie-Wachstum auf InP (1 1 1)B-Substraten. Die gitterangepasste Periodizität wird in den Richtungen [1 1 0] und [ ] der (0 0 1)-Oberfläche beibehalten. Die auf InP(0 0 1)-Substraten aufgewachsenen Bi 2 Se 3  -Schichten weisen eine 12-fache Symmetrie in der Ebene auf, da die [ ]-Richtung von Bi 2 Se 3  in eine der beiden Richtungen ausgerichtet ist. Wenn das (1 1 1)-orientierte InP-Substrats geneigt sind, wird festgestellt, dass die Bi 2 Se 3  (0 0 0 1)-Schichten Stufen mit einer Höhe von ~50 nm entwickeln. Die Neigung der Bi 2 Se 3  [0 0 0 1]-Achse in Bezug auf die Wachstumsoberfläche ist für die Entstehung der Stufen verantwortlich. Es wird somit bewiesen, dass epitaxiales Wachstum statt Van-der-Waals-Wachstum stattfindet. Wir weisen auf seine Auswirkungen auf die Oberflächenzustände topologischer Isolatoren hin.

Quelle: IOPscience

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