Für die Entwicklung von Siliziumkarbid-Bauelementen bieten wir kundenspezifische Dünnfilm-Silizium-Epitaxie auf 6h- oder 4h-Substraten an. sic epi wafer wird hauptsächlich für Schottky-Dioden, Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren, Sperrschicht-Feldeffekttransistoren, bipolare Sperrschichttransistoren, Thyristoren, GTO und Bipolar mit isoliertem Gate verwendet.
Silizium (Siliziumkarbid) -Epitaxie
Wir bieten maßgeschneiderte Dünnschicht (Siliziumkarbid) sic Epitaxie auf 6h oder 4h Substraten für die Entwicklung von Siliziumkarbid-Bauelementen. sic epi wafer wird hauptsächlich für Schottky-Dioden, Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren, Sperrschicht-Feldeffekttransistoren, bipolare Sperrschichttransistoren, Thyristoren, GTO und Bipolar mit isoliertem Gate verwendet.
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Artikel |
Spezifikation |
typischer Wert |
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Poly-Typ |
4h |
- |
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Aus-Orientierung zu |
4 deg-off |
- |
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u0026 lt; 11 2 (_) 0 u0026 gt; |
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Leitfähigkeit |
n-Typ |
- |
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Dotierstoff |
Stickstoff- |
- |
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Träger Konzentration |
5e15-2e18 cm -3 |
- |
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Toleranz |
± 25% |
± 15% |
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Gleichmäßigkeit |
2 "(50,8 mm) u0026 lt; 10% |
7% |
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3 "(76,2 mm) u0026 lt; 20% |
10% |
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4 "(100 mm) u0026 lt; 20% |
15% |
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Dickenbereich |
5-15 u0026 mgr; m |
- |
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Toleranz |
± 10% |
± 5% |
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Gleichmäßigkeit |
2 "u0026 lt; 5% |
2% |
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3 "u0026 lt; 7% |
3% |
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4 "u0026 lt; 10% |
5% |
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großer Punkt Mängel |
2 "u0026 lt; 30 |
2 "u0026 lt; 15 |
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3 "u0026 lt; 60 |
3 "u0026 lt; 30 |
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4 "u0026 lt; 90 |
4 "u0026 lt; 45 |
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Epi Defekte |
≤ 20 cm -2 |
≤ 10 cm -2 |
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Schrittbündelung |
≤ 2,0 nm (rq) |
≤ 1,0 nm (rq) |
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(Rauheit) |
Anmerkungen:
• 2 mm Kantenausschluss für 50,8 und 76,2 mm, 3 mm Kantenausschluss für 100,0 mm
• Durchschnitt aller Messpunkte für Dicke und Trägerkonzentration (siehe S. 5)
• N-Typ-Epischichten u0026 lt; 20 Mikrometer werden von einer Pufferschicht vom n-Typ, 1e18, 0,5 Mikrometer vorgeschaltet
• Nicht alle Dotierungsdichten sind in allen Dicken verfügbar
• Einheitlichkeit: Standardabweichung (σ) / Durchschnitt
• eine spezielle Anforderung an den epi-Parameter ist auf Anfrage
Testmethoden
Nr. 1. Trägerkonzentration: Die Nettodotierung wird als Durchschnittswert über den Afer unter Verwendung von Hg-Sonde cv bestimmt.
Nr. 2. Dicke: Die Dicke wird als Durchschnittswert über den Wafer unter Verwendung von ftir bestimmt.
no.3.large Punktdefekte: mikroskopische Untersuchung durchgeführt bei 100x, auf einem Olympus-Mikroskop oder vergleichbar.
Nummer 4. Überprüfung der Epi-Defekte unter dem optischen Oberflächenanalysator Kla-Tencor Candela cs20.
Nr. 5. Step-Bunching: Step-Bunching und Rauheit werden mittels AFM (Atomic Force Microscope) auf einem 10μm x 10μm Bereich skaliert
große Punktfehlerbeschreibungen
Defekte, die für das nicht unterstützte Auge eine klare Form aufweisen und u0026 gt; 50 Mikrometer über. Diese Merkmale umfassen Spitzen, anhaftende Partikel, Chips und Cracker. große Punktdefekte mit einem Abstand von weniger als 3 mm zählen als ein Defekt.
Epitaxie-Fehlerbeschreibungen
d1. 3c Einschlüsse
Regionen, in denen der Schritt während des Wachstums der Epi-Schicht unterbrochen wurde. Typische Regionen sind im Allgemeinen dreieckig, obwohl manchmal mehr runde Formen zu sehen sind. einmal pro Auftreten zählen. zwei Einschlüsse innerhalb von 200 Mikron zählen als eins.
d2. Komet Schwänze
Kometenschweife haben einen diskreten Kopf und einen nachlaufenden Schwanz. Diese Merkmale sind parallel zum Haupt- an ausgerichtet. normalerweise haben alle Kometenschweife die gleiche Länge. einmal pro Auftreten zählen. zwei Kometenschweife innerhalb von 200 Mikron zählen als Eins.
d3. Möhren
ähnlich wie Kometenschweife in Aussehen, außer sie sind mehr eckig und fehlt Kopf. wenn vorhanden, sind diese Merkmale parallel zum Haupt-At ausgerichtet. Gewöhnlich haben alle vorhandenen Karotten die gleiche Länge. Zähle einmal pro Auftritt. zwei Karotten innerhalb von 200 Mikron zählen als eins.
d4. Partikel
Teilchen haben das Aussehen von Augen und sind, wenn vorhanden, üblicherweise an den Waferkanten konzentriert und nicht innerhalb des spezifizierten Bereichs. falls vorhanden, einmal zählen. zwei Teilchen innerhalb von 200 Mikron zählen als eins.
d5. Siliziumtröpfchen
Siliziumtröpfchen können entweder als kleine Hügel oder Vertiefungen in der Waferoberfläche erscheinen. normalerweise abwesend, aber wenn vorhanden, sind sie weitgehend am Umfang des Wafers konzentriert. Wenn vorhanden, schätzen Sie den Prozentsatz der betroffenen Fläche ab.
d6. Untergang
anhaftende Partikel fielen während des Epi-Wachstums.
Anwendung von SiC-Epitaxialwafer
Leistungsfaktorkorrektur (pfc)
PV Wechselrichter und Ups (unterbrechungsfreie Stromversorgung) Wechselrichter
Motorantriebe
Ausgangsberichtigung
Hybrid- oder Elektrofahrzeuge
sic Schottky-Diode mit 600V, 650V, 1200V, 1700V, 3300V ist verfügbar.
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Aufgrund der physikalischen und elektronischen Eigenschaften von Silizium eignen sich Geräte auf Siliziumkarbid-Basis gut für optoelektronische, hochtemperatur-, strahlungsresistente und hochleistungsfähige Hochfrequenz-Geräte mit kurzer Wellenlänge, verglichen mit Geräten auf Si und GaAs-Basis.
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