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epitaktischer Siliziumwafer

Silizium-Epitaxie-Wafer (Epi-Wafer) ist eine Schicht aus Einkristall-Silizium auf einem Einkristall-Silizium-Wafer abgeschieden (Anmerkung: es ist verfügbar, um eine Schicht aus polykristallinen Silizium-Schicht auf einem hoch dotierten einkristallinen Silizium-Wafer wachsen, aber es braucht Pufferschicht (wie Oxid oder Poly-Si) zwischen dem Bulk-Si-Substrat und der oberen Epitaxieschicht

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Produktdetails

epitaktischer Siliziumwafer

Silizium-Epitaxialwafer (Epi-Wafer) ist eine Schicht aus einkristallinem Silizium, die auf einem Einkristall abgeschieden ist Siliziumwafer (Anmerkung: Es steht zur Verfügung, eine Schicht aus polykristalliner Siliziumschicht auf einem hochdotierten einkristallinen Silizium aufzuwachsen Siliziumwafer , aber es braucht Pufferschicht (wie Oxid oder Poly-Si) zwischen dem Bulk-Si-Substrat und der oberen Epitaxieschicht)

Die Epitaxieschicht kann beim Aufbringen auf die genaue Dotierungskonzentration dotiert werden, während die Kristallstruktur des Substrats beibehalten wird.

Epischichtwiderstand: u0026 lt; 1 Ohm-cm bis 150 Ohm-cm

Epischichtdicke: u0026 lt; 1 um bis zu 150 um

Struktur: n / n +, n- / n / n +, n / p / n +, n / n + / p-, n / p / p +, p / p +, p- / p / p +.

Wafer-Anwendung: digitale, lineare, Power-, Mos-, Bicmos-Geräte.

unsere Vorteile auf einen Blick

1. fortgeschrittene Epitaxie-Wachstumsgeräte und Testgeräte.

2. bieten die höchste Qualität mit geringer Fehlerdichte und guter Oberflächenrauigkeit.

3. starke Unterstützung des Forschungsteams und Technologieunterstützung für unsere Kunden

6 "Wafer Spezifikation:

Artikel	u0026 emsp;	Spezifikation
Substrat	Unterspez. Nr.	u0026 emsp;
	Barrenwachstum Methode	cz
	Leitfähigkeit Art	n
	Dotierstoff	wie
	Orientierung	(100) ± 0,5 °
	Widerstand	≤ 0,005 Ohm.cm
	rrg	≤ 15%
	[oi] Inhalt	8 ~ 18 ppma
	Durchmesser	150 ± 0,2 mm
	primäre Wohnung Länge	55 ~ 60 mm
	primäre Wohnung Lage	{110} ± 1 °
	zweitens flach Länge	halb
	zweitens flach Lage	halb
	Dicke	625 ± 15 um
	Rückseite Eigenschaften:	u0026 emsp;
	1 , BSD / Poly-Si (a)	1.bsd
	2 , sio2	2. bis: 5000 ± 500 a
	3 , Randausschluss	3.ee:? 0,6 mm
	Laserbeschriftung	keiner
	Vorderseite	spiegelpoliert
epi	Struktur	n / n +
	Dotierstoff	Phos
	Dicke	3 ± 0,2 um
	thk.uniformity	≤ 5%
	Messung Position	Zentrum (1 Punkt) 10mm von der Kante (4 Punkte bei 90 Grad)
	Berechnung	[tmax-tmin] ÷ [[tmax + tmin] x 100%
	Widerstand	2,5 ± 0,2 Ohm.cm
	Res.uniformität	≤ 5%
	Messung Position	Zentrum (1 Punkt) 10mm von der Kante (4 Punkte bei 90 Grad)
	Berechnung	[rmax-rmin] ÷ [[rmax + rmin] x 100%
	Stapelfehler Dichte	≤ 2 ( ea / cm2 )
	Dunst	keiner
	Kratzer	keiner
	Krater , Orangenschale ,	keiner
	Randkrone	≤ 1/3 Epi Dicke
	slip (mm)	Gesamtlänge ≤ 1dia
	Fremdstoff	keiner
	Rückseite Kontamination	keiner
	Gesamtpunkt Defekte (Partikel)	≤ 30@0.3um

Hot Tags : Epi-Silizium-Wafer epitaktischer Siliziumwafer Hersteller von Epitaxialwafern Epi-Wafer-Hersteller Silizium auf Isolator

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