Wir liefern Ingaasp / Ingaas Epi auf Inp-Substraten wie folgt:

1.Struktur: 1.55um ingaasp qw Laser

2. spezifikation:

1) Methode: mocvd

2) Größe des Wafers: 2 \"

3) Ingaasp / Ingaas-Wachstum auf Inp-Substraten

4) 3-5 Arten von Ingasp-Zusammensetzung

5) pl toleranz von +/- 5nm, pl std. Entwickler \u0026 lt; 3 nm über den Wafer (mit einer Ausschlusszone von 5 mm vom Waferumfang)

6) pl Zielbereich 1500nm.

7) Dehnungsgrenze -1,0% +/- 0,1% (Druckspannung)

8) nein. der Schichten: 8-20

9) Gesamtwachstum Dicke: 1,0 ~ 3,0um

10) zu messende Parameter: Röntgenbeugungsmessung (Dicke, Dehnung), Photolumineszenzspektrum (Pl, Pl Gleichmäßigkeit), Trägerkonzentrationsprofilierung

Wir vergleichen die Lebensdauer des Phototrägers in Br-bestrahlten Ingaas und kaltem Fe-implantierten Ingaasp. Wir zeigen auch die Möglichkeit einer Zwei-Photonen-Absorption (tpa) Prozess in Epochen: Gaas. die Lebensdauer und die tpa wurden gemessen mit einer faserbasierten 1550 nm zeitaufgelösten differentiellen Transmission (Δt). Die ingaas-basierten Materialien zeigen ein positives Δt mit einer Sub-Pikosekunden-Lebensdauer, während epas: Gaas ein negatives Δt zeigt, das mit einem Zwei-Photonen-Absorptionsprozess konsistent ist.

Quelle: halbleiterwafers.net

Für weitere Informationen besuchen Sie bitte unsere Website: http://www.semiconductorwafers.net ,

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