Hochdotierte p-3C-SiC- Schichten mit guter Kristallperfektion wurden durch Sublimationsepitaxie im Vakuum gezüchtet. Die Analyse der Photolumineszenzspektren und der Temperaturabhängigkeit der Ladungsträgerkonzentration zeigt, dass in den untersuchten Proben mindestens zwei Arten von Akzeptorzentren bei ~ E V + 0,25 eV und bei E V + 0,06–0,07 eV existieren. Es wird der Schluss gezogen, dass Schichten dieser Art als p-Emitter in 3C-SiC-Bauelementen verwendet werden können.
Quelle: IOPscience
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