Glatte und vollständig entspannte, stark mit Bor dotierte Germaniumschichten wurden direkt auf Si(001)-Substraten unter Verwendung von kohlenstoffvermittelter Epitaxie aufgewachsen. Ein Dopinglevel von wurde durch mehrere Verfahren gemessen. Mittels hochauflösender Röntgenbeugung beobachteten wir unterschiedliche Gitterparameter für intrinsische und stark bordotierte Proben. Ein Gitterparameter von Ge:B = 5,653 Å wurde unter Verwendung der Ergebnisse berechnet, die durch reziproke Raumabbildung um die (113)-Reflexion und das Modell der tetragonalen Verzerrung erhalten wurden. Die beobachtete Gitterkontraktion wurde angepasst und in Übereinstimmung mit einem theoretischen Modell gebracht, das für ultrahoch bordotiertes Silizium entwickelt wurde. Raman-Spektroskopie wurde an den intrinsischen und dotierten Proben durchgeführt. Eine Verschiebung des Phononenstreuungspeaks erster Ordnung wurde beobachtet und dem hohen Dotierungsniveau zugeschrieben. Durch Vergleich mit der Literatur wurde ein Dopingwert von errechnet. Wir haben auch einen Unterschied zwischen der intrinsischen und der dotierten Probe im Bereich der Phononenstreuung zweiter Ordnung beobachtet. Hier ist ein intensiver Peak für die dotierten Proben sichtbar. Dieser Peak wurde der Bindung zwischen Germanium und dem Borisotop 11B zugeschrieben.

Quelle: IOPscience

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