Die CdS-Schichten wurden auf InP-Substraten unter Verwendung der (H2-CdS)-Dampfwachstumstechnik abgeschieden. Die Einkristallschichten aus hexagonalem CdS wurden auf InP (111) , (110) und (100) mit den folgenden heteroepitaxialen Beziehungen erhalten; (0001) CdS//(111) InP und [bar 12bar 10] CdS//[01bar 1] InP, (01bar 13) CdS//(110) InP und [bar 2110] CdS//[bar 110] InP, (30bar 34) CdS//(100) InP und [bar 12bar 10] CdS//[01bar 1] InP. Die auf InP (Balken 1Balken 1Balken 1) abgeschiedenen CdS-Schichten wurden anhand der verzwillingten hexagonalen Kristalle identifiziert, deren Zwillingsebenen nahezu parallel zu (30Balken 3Balken 4) und ihren kristallographischen Äquivalenten waren. Die Zusammensetzungsgradienten wurden an der Grenzfläche der Abscheidungen und der Substrate beobachtet.
Quelle: IOPscience
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