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Gallium-Halbleiterwafer

2017-12-21

Gallium-Halbleiterwafer

GaAs-Wafersubstrat - Galliumarsenid
Menge Material Orientierung. Durchmesser Dicke Polieren Widerstand Typ Dotierstoff nc Mobilität epd
Stck (mm) (μm) Ω · cm \u0026 emsp; a / cm3 cm2 / vs / cm2
1-100 Gaas -100 25.4 4000 ± 50 dsp \u0026 gt; 1e7 undotiert n / a n / a \u0026 lt; 1e5
1-100 Gaas -100 50.7 350-370 ssp \u0026 gt; 1e7 undotiert n / a \u0026 gt; 3500 \u0026 lt; 10000
1-100 Gaas (100) 2 ° ± 0,50 in Richtung (011) 50.7 350 ± 10 ssp (0.8-9) e -3 n / s (8) e17 2000-3000 \u0026 lt; 5000
1-100 Gaas (100) 6 ° ± 0,50 in Richtung (011) 50.7 350 ± 20 ssp (0,8-9) × 10 -3 n / s (0,2-4) e18 ≥1000 ≤5000
1-100 Gaas -100 50.8 350 ssp n / a p / zn (1-5) e19 n / a \u0026 lt; 5000
1-100 Gaas -100 50.8 5000 ± 50 ssp \u0026 gt; 1e8 undotiert n / a n / a n / a
1-100 Gaas -100 50.8 4000 ± 50 ssp \u0026 gt; 1e7 undotiert n / a n / a n / a
1-100 Gaas -100 50.8 8000 ± 10 wie geschnitten \u0026 gt; 1e7 undotiert n / a n / a n / a
1-100 Gaas -100 50.8 8000 ± 10 dsp \u0026 gt; 1e7 undotiert n / a n / a n / a
1-100 Gaas (100) 2 ° 50.8 3000 ssp \u0026 gt; 1e7 n / s n / a n / a n / a
1-100 Gaas -100 50.8 350 ± 25 ssp \u0026 gt; 1e7 n / a (1-5) e19 n / a n / a
1-100 Gaas -100 50.8 350 ± 25 ssp n / a n / a (0.4-3.5) e18 ≥1400 ≤100
1-100 Gaas (100) 0 ° oder 2 ° 76.2 130 ± 20 dsp n / a undotiert n / a n / a \u0026 lt; 10000
1-100 Gaas (100) 2 ° ± 0,50 76.2 350 ± 25 ssp n / a n / s (0.4-2.5) e18 n / a ≤5000
1-100 Gaas -100 76.2 350 ± 25 ssp n / a n / a n / a n / a n / a
1-100 Gaas -100 76.2 350 ± 25 ssp \u0026 gt; 1e7 undotiert n / a n / a ≤8e4 oder 1e4
1-100 Gaas -100 76.2 625 ± 25 dsp \u0026 gt; 1e7 undotiert n / a ≥4500 ≤8e4 oder 1e4
1-100 Gaas (100) 2 ° ± 0,10 in Richtung (110) 76.2 500 ssp \u0026 gt; 1e7 undotiert n / a n / a n / a
1-100 Gaas (100) 2 ° 100 625 dsp \u0026 gt; 1e7 undotiert n / a n / a n / a
1-100 Gaas (100) 2 ° 100 625 ± 25 dsp n / a n / a n / a n / a n / a
1-100 Gaas (100) 2 ° ± 0,50 in Richtung (011) 100 350 ± 25 ssp n / a n / s (0.4-3.5) e18 n / a ≤5000
1-100 Gaas (100) 2 ° ± 0,10 in Richtung (110) 100 625 ± 25 dsp (1-4) e18 undotiert n / a n / a n / a
1-100 Gaas (100) 2 ° ± 0,50 in Richtung (011) 100 625 ± 25 dsp (1,0-4,0) 1e8 undotiert n / a n / a n / a
1-100 Gaas (100) 2 ° ± 0,50 in Richtung (011) 100 625 ± 25 dsp (1-4) e8 undotiert n / a n / a n / a
1-100 Gaas (100) 2 ° ± 0,50 in Richtung (011) 100 350 ± 25 ssp n / a n / s (0,4-4) e18 n / a ≤5000
1-100 Gaas (100) 15 ° ± 0,50 in Richtung (011) 100 350 ± 25 ssp n / a n / s (0,4-4) e18 n / a ≤5000
1-100 Gaas (100) 2 ° ± 0,50 100 350 ± 25 dsp n / a n / s (0,4-4) e18 n / a ≤5000
1-100 Gaas (100) 2 ° ± 0,50 100 625 ± 25 ssp (1-4) e18 undotiert n / a n / a n / a
1-100 Gaas (100) 2 ° ± 0,50 150 675 ± 25 dsp \u0026 gt; 1e7 undotiert n / a n / a n / a
1-100 Gaas (100) 0 ° ± 3,0 ° 150 675 ± 25 dsp \u0026 gt; 1,0 × 107 undotiert n / a n / a n / a
1-100 Gaas -310 50.8 / 76.2 n / a n / a n / a n / a n / a n / a n / a
als gaas wafer lieferant, bieten wir gaas halbleiterliste für ihre referenz, wenn sie preisdetail benötigen, kontaktieren sie bitte unser vertriebsteam


Hinweis:

*** Als Hersteller akzeptieren wir auch kleine Mengen für Forscher oder Gießereien.

*** lieferzeit: es hängt von lager haben wir, wenn wir lager haben, können wir ihnen bald. *** wir bieten gaas epitaxy service von mbe und mocvd, bitte kontaktieren sie unser vertriebsteam.

Gaswafersubstrat - Galliumantimonid
Menge Matte erial Orie ntation. Durchm Eter dick ss Polieren Widerstand Art Dotierstoff nc mobilit y epd
Stck (mm) (μm) Ω · cm \u0026 emsp; a / cm3 cm2 / vs / cm2
1-100 Gas (100) ± 0,5 50.8 500 ± 25 ssp n / a te 1e17 - 5e18 n / a \u0026 lt; 1000
1-100 Gas (111) a ± 0,5 50.8 500 ± 25 ssp n / a te 1e17 - 5e18 n / a \u0026 lt; 1000
1-100 Gas (111) b 50.8 n / a n / a n / a te (5-8) e17 n / a n / a
1-100 Gas (111) b 50.8 n / a n / a n / a undotiert keiner n / a n / a
1-100 Gas (100) ± 0,5 50.8 500 ssp n / a p / (1-5) e17cm-3 n / a n / a
1-100 Gas (100) ± 0,5 50.8 500 ssp n / a n / (1-5) e17cm-3 n / a n / a
1-100 Gas (100) ± 0,5 50.8 500 ssp n / a n / te (1-8) e17 / (2-7) e16 n / a \u0026 lt; 1000
1-100 Gas -100 50.8 450 ± 25 ssp n / a n / a (1-1.2) e17 n / a n / a
1-100 Gas -100 50.8 350 ± 25 ssp n / a n / a n / a n / a n / a
1-100 Gas -100 76.8 500-600 n / a n / a undotiert keiner n / a n / a
1-100 Gas -100 100 800 ± 25 dsp n / a p / zn n / a n / a n / a
1-100 Gas -100 100 250 ± 25 n / a n / a p / zno n / a n / a n / a

als Gaswafer Lieferant, bieten wir Gasb Halbleiterliste für Ihre Referenz, wenn Sie Preis-Detail benötigen, kontaktieren Sie bitte unser Vertriebsteam


Hinweis:

*** Als Hersteller akzeptieren wir auch kleine Mengen für Forscher oder Gießereien.

*** lieferzeit: es hängt von lager wir haben, wenn wir lager haben, können wir ihnen bald versenden.

Spaltwafersubstrat - Gallium-Posphid
Menge Material orientieren Ion. dia Meter dick ss Polieren Widerstand Art Dotierstoff nc mobil Qualität epd
Stck (m m) (μm) Ω · c m \u0026 emsp; ein/ cm3 cm2 / vs / cm2
1-100 Spalt -111 50 5000 ± 20 ssp n / a n n / a n / a n / a
1-100 Spalt (111) ± 0,5 ° 50 ± 0,5 300 ± 20 n / a n / a s (2 ~ 7) × 1e17 ≥100 \u0026 lt; 3 × 1e5
1-100 Spalt (111) ± 0,5 ° 50 ± 0,5 300 ± 20 n / a n / a te (1 ~ 2) × 1e17 ≥100 \u0026 lt; 3 × 1e5

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