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Verbindungshalbleiter

PAM-XIAMEN bietet Indium-Halbleiter-Wafer: insb, inp, inas, gasb, Lücke

Aussicht :

  • InP substrate

    Inp-Wafer

    xiamen powerway bietet inp wafer - indiumphosphid an, die durch lec (liquid verkapselte czochralski) oder vgf (vertical gradient freeze) als epi-ready oder mechanische grade mit n typ, p typ oder semiisolierend in unterschiedlicher orientierung (111) oder ( 100).

    Hot Tags : Inp-Wafer Inp-Substrat Indiumphosphid-Wafer Indiumphosphidsubstrat Inp-Wafer-Preis Indiumphosphid-Hersteller

  • InAs substrate

    Inas-Wafer

    Xiamen Powerway bietet inas Wafer - Indiumarsenid an, die durch Lec (Liquid Encapsulated Czochralski) als Epi-Ready oder Mechanical Grade mit n-Typ, p-Typ oder halbisolierend in unterschiedlicher Orientierung (111) oder (100) gezüchtet werden.

    Hot Tags : Inas-Wafer inas Substrat Indiumarsenidwafer Indiumarsenidsubstrat Indiumarsenidhalbleiter Indiumarsenid-Struktur

  • InSb substrate

    insb-Wafer

    Xiamen Powerway bietet insb Wafer - Indium Antimonid, die durch Lec (Flüssigkeit eingekapselt Czochralski) als Epi-Ready oder mechanische Klasse mit n-Typ, p-Typ oder semi-isolierende in unterschiedlicher Orientierung (111) oder (100) angebaut werden.

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  • GaSb substrate

    Gaswafer

    Xiamen Powerway bietet Gas Wafer - Gallium Antimonid, die durch Lec (Flüssigkeit eingekapselt Czochralski) als Epi-Ready oder mechanische Klasse mit n-Typ, p-Typ oder semi-isolierende in unterschiedlicher Orientierung (111) gewachsen oder (100)

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  • GaP substrate

    Lücke Wafer

    Xiamen Powerway bietet Gap - Wafer - Gallium - Phosphid an, die mit lec (liquid) gezüchtet werden verkapselte czochralski) als epi-ready oder mechanische Klasse mit n-Typ, p-Typ oder halbisolierend in unterschiedlicher Orientierung (111) oder (100).

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