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  • gan on silicon

    freistehendes gan-Substrat

    pam-xiamen hat die Herstellungstechnologie für freistehende (Galliumnitrid) gan Substratwafer, die für uhb-led und ld ist, etabliert. gewachsen durch Hydriddampfphasenepitaxie (Hvpe) -Technologie, hat unser Gansubstrat eine geringe Defektdichte.

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  • GaAs crystal

    GaAs (Galliumarsenid) -Wafer

    pwam entwickelt und fertigt Verbundhalbleitersubstrate - Galliumarsenidkristall und -wafer. Wir haben fortschrittliche Kristallzüchtungstechnologie, vertikales Gradientenfrosten (vgf) und Gaas-Wafer-Bearbeitungstechnologie verwendet, eine Produktionslinie vom Kristallwachstum, Schneiden, Schleifen bis zur Polierbearbeitung etabliert und gebaut ein Reinraum der 100 Klasse für die Reinigung und Verpackung von Wafern. Unsere GaAs Wafer enthalten 2 ~ 6 Zoll Barren / Wafers für LED, LD und Microelectronics Anwendungen. Wir sind immer auf die Verbesserung der Qualität von derzeit substates und die Entwicklung von großen Substraten gewidmet.

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  • InSb substrate

    insb-Wafer

    Xiamen Powerway bietet insb Wafer - Indium Antimonid, die durch Lec (Flüssigkeit eingekapselt Czochralski) als Epi-Ready oder mechanische Klasse mit n-Typ, p-Typ oder semi-isolierende in unterschiedlicher Orientierung (111) oder (100) angebaut werden.

    Hot Tags : insb-Wafer insb-Substrat Indiumantimonit-Wafer Indiumantimonidsubstrat Indiumantimonideigenschaften insb-wafer-Preis

  • GaSb substrate

    Gaswafer

    Xiamen Powerway bietet Gas Wafer - Gallium Antimonid, die durch Lec (Flüssigkeit eingekapselt Czochralski) als Epi-Ready oder mechanische Klasse mit n-Typ, p-Typ oder semi-isolierende in unterschiedlicher Orientierung (111) gewachsen oder (100)

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  • GaP substrate

    Lücke Wafer

    Xiamen Powerway bietet Gap - Wafer - Gallium - Phosphid an, die mit lec (liquid) gezüchtet werden verkapselte czochralski) als epi-ready oder mechanische Klasse mit n-Typ, p-Typ oder halbisolierend in unterschiedlicher Orientierung (111) oder (100).

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