pam-xiamen produziert qualitativ hochwertige Gallium-Antimonid (Gas) Einkristall-Ingots. Wir runden auch runde, gesägte, geschnittene und polierte Gaswafer ab und liefern eine epi-ready Oberflächenqualität. Gaskristall ist eine Verbindung, die durch 6n reines ga- und sb-Element gebildet wird und durch Flüssig-Einkapselte-Czochralski (lec) -Verfahren mit epd \u0026 lt; 1000 cm -3. Gaskristall hat e...
Waferskalenanordnungen von wohlgeordneten pb (zr0,2ti0,8) o3-Nanodisks und Nanoringen wurden auf der gesamten Fläche (10 mm × 10 mm) der srruo3-Bodenelektrode auf einem Srrio3-Einkristallsubstrat unter Verwendung der Laserinterferenzlithographie hergestellt (lil) Prozess kombiniert mit gepulster Laserablagerung. Die Form und Größe der Nanostrukturen wurde durch die Menge an pzt, die durch die gemu...
Wir stellen einen neuartigen Prozess zur Integration vor Germanium mit Silizium-auf-Isolator (soi) Wafern. Germanium wird in SoI implantiert, das dann oxidiert wird, wobei das Germanium zwischen den zwei Oxidschichten (dem gewachsenen Oxid und dem vergrabenen Oxid) eingeschlossen wird. unter sorgfältiger Kontrolle der Implantations- und Oxidationsbedingungen erzeugt dieser Prozess eine dünne Schic...
Wir untersuchten die Übergangsenergieniveaus der Leerstellendefekte in Galliumnitrid mittels einer hybriden Dichtefunktionaltheorie (dft). wir zeigen, dass, im Gegensatz zu Vorhersagen aus einer neueren Studie auf der Ebene von rein lokalen dft, der Einschluss von gerasterten Austausch den dreifach positiven Ladungszustand der Stickstoff-Leerstelle für Fermi-Energien nahe dem Valenzband stabilisie...
Direkte Diodenlaser haben einige der attraktivsten Merkmale von allen Laser. Sie sind sehr effizient, kompakt, vielseitig einsetzbar, kostengünstig und sehr zuverlässig. Die volle Nutzung von Direktdiodenlasern muss jedoch noch realisiert werden. die schlechte Qualität von Diodenlaser Strahl selbst, direkt beeinflussen seine Anwendungsbereiche, um eine bessere Verwendung von Diodenlaserstack, benö...
Die jüngsten Fortschritte beim Wachstum von epitaktischen Filmen auf Si sind im Überblick. Die grundlegenden klassischen Methoden, die derzeit für das Wachstum von Sic-Filmen verwendet werden, werden diskutiert und ihre Vor- und Nachteile werden untersucht. Die Grundidee und der theoretische Hintergrund für eine neue Methode zur Synthese von epitaktischen Filmen auf Si sind gegeben. Es wird gezeig...
Es ist immer noch eine große Herausforderung für Halbleiter-basierte Geräte, einen großen Magnetowiderstand (MR) -Effekt bei einem niedrigen Magnetfeld bei Raumtemperatur zu erhalten. In dieser Arbeit werden die photoinduzierten mr - Effekte unter verschiedenen Beleuchtungsintensitäten bei Raumtemperatur untersucht halbisolierendes Galliumarsenid ( si-gaas ) auf ag / si-gaas / ag Gerät. die Vorric...
der Prozess zur Verringerung der Versetzungsdichte in 3-Zoll-Fe-dotiert Inp-Wafer wird beschrieben. Der Kristallwachstumsprozess ist ein konventioneller flüssigkeitsverkapselter Czochralsky (lec), jedoch wurden thermische Abschirmungen hinzugefügt, um den thermischen Gradienten im wachsenden Kristall zu verringern. Die Form dieser Schilde wurde mit Hilfe numerischer Simulationen von Wärmeübertragu...
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