Te-dotierte GaSb-Einkristalle werden durch Messung von Hall-Effekt, Infrarot (IR) -Transmission und Photolumineszenz (PL) -Spektren untersucht. Es wurde gefunden, dass das GaSb vom n-Typ mit IR-Durchlässigkeit bis zu 60% durch kritische Kontrolle der Te-Dotierungskonzentration und elektrische Kompensation erhalten werden kann. Die Konzentration der nativen Akzeptor-assoziierten Defekte ist offensi...
In dieser Arbeit untersuchen wir unter Verwendung eines vollständig gekoppelten dreidimensionalen elektrothermischen Vorrichtungssimulators den Mechanismus der Effizienzverschlechterung bei Hochstrombetrieb in planar G ein Leuchtdioden auf N-Basis (LED). Insbesondere wurde die Verbesserung der Effizienzverschlechterung unter Verwendung von dickeren leitfähigen GaN-Substraten demonstriert. Zunächst...
Bei homogenen Materialien ermöglicht das Ultraschall-Immersionsverfahren, das mit einem numerischen Optimierungsprozess verbunden ist, der meist auf dem Newton-Algorithmus basiert, die Bestimmung elastischer Konstanten für verschiedene synthetische und natürliche Verbundmaterialien. Eine wesentliche Einschränkung des bestehenden Optimierungsverfahrens liegt jedoch vor, wenn sich das betrachtete Ma...
Die Bondtemperatur-abhängigen Lasercharakteristiken von 1,5 & mgr; m GaInAsP-Laserdiode (LD) werden auf direkt geklebt InP-Substrat oder Si-Substrat wurden erfolgreich erhalten. Wir haben das gemacht InP Substrat oder Si-Substrat unter Verwendung einer direkten hydrophilen Wafer-Bondtechnik bei Bondtemperaturen von 350, 400 und 450 ° C und abgeschiedenem GaInAsP oder InP-Doppelheterostruktursc...
Wir haben die Effizienz von photoleitfähigen Antennen (PCAs) unter Verwendung von bei niedriger Temperatur gewachsenem GaAs (LT-GaAs) verbessert. Wir fanden heraus, dass die physikalischen Eigenschaften von photoleitfähigen LT-GaAs-Schichten die Erzeugungs- und Erfassungseigenschaften von Terahertz (THz)-Wellen stark beeinflussen. Bei der THz-Erzeugung sind eine hohe photoangeregte Ladungsträgermo...
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