eine Graphitdeckschicht wurde bewertet, um die Oberfläche von strukturierten und selektiv implantierten 4-h-epitaxialen Wafern während des Postimplantationstemperns zu schützen. az-5214e-Photoresist wurde im Vakuum bei Temperaturen im Bereich von 750 bis 850ºC versponnen und gebacken, um eine kontinuierliche Beschichtung auf sowohl planaren als auch mesa-geätzten Oberflächen mit Merkmalen von bis ...
pam-xiamen produziert qualitativ hochwertige Gallium-Antimonid (Gas) Einkristall-Ingots. Wir runden auch runde, gesägte, geschnittene und polierte Gaswafer ab und liefern eine epi-ready Oberflächenqualität. Gaskristall ist eine Verbindung, die durch 6n reines ga- und sb-Element gebildet wird und durch Flüssig-Einkapselte-Czochralski (lec) -Verfahren mit epd \u0026 lt; 1000 cm -3. Gaskristall hat e...
Waferskalenanordnungen von wohlgeordneten pb (zr0,2ti0,8) o3-Nanodisks und Nanoringen wurden auf der gesamten Fläche (10 mm × 10 mm) der srruo3-Bodenelektrode auf einem Srrio3-Einkristallsubstrat unter Verwendung der Laserinterferenzlithographie hergestellt (lil) Prozess kombiniert mit gepulster Laserablagerung. Die Form und Größe der Nanostrukturen wurde durch die Menge an pzt, die durch die gemu...
Die jüngsten Fortschritte beim Wachstum von epitaktischen Filmen auf Si sind im Überblick. Die grundlegenden klassischen Methoden, die derzeit für das Wachstum von Sic-Filmen verwendet werden, werden diskutiert und ihre Vor- und Nachteile werden untersucht. Die Grundidee und der theoretische Hintergrund für eine neue Methode zur Synthese von epitaktischen Filmen auf Si sind gegeben. Es wird gezeig...
Es ist immer noch eine große Herausforderung für Halbleiter-basierte Geräte, einen großen Magnetowiderstand (MR) -Effekt bei einem niedrigen Magnetfeld bei Raumtemperatur zu erhalten. In dieser Arbeit werden die photoinduzierten mr - Effekte unter verschiedenen Beleuchtungsintensitäten bei Raumtemperatur untersucht halbisolierendes Galliumarsenid ( si-gaas ) auf ag / si-gaas / ag Gerät. die Vorric...
hochzugbelastete Sub-Monoschicht ge Nanostrukturen auf Gas wurden durch Molekularstrahlepitaxie gezüchtet und mittels Ultrahochvakuum-Rastertunnelmikroskopie untersucht. vier verschiedene deckungsraten von ge nanostrukturen auf gasb werden erreicht und untersucht. Es wird gefunden, dass das Wachstum von Gas auf Gas dem 2d-Wachstumsmodus folgt. das Kristallgitter der Sub-Monoschicht ge Nanostruktur...
Te-dotierte GaSb-Einkristalle werden durch Messung von Hall-Effekt, Infrarot (IR) -Transmission und Photolumineszenz (PL) -Spektren untersucht. Es wurde gefunden, dass das GaSb vom n-Typ mit IR-Durchlässigkeit bis zu 60% durch kritische Kontrolle der Te-Dotierungskonzentration und elektrische Kompensation erhalten werden kann. Die Konzentration der nativen Akzeptor-assoziierten Defekte ist offensi...
In dieser Arbeit untersuchen wir unter Verwendung eines vollständig gekoppelten dreidimensionalen elektrothermischen Vorrichtungssimulators den Mechanismus der Effizienzverschlechterung bei Hochstrombetrieb in planar G ein Leuchtdioden auf N-Basis (LED). Insbesondere wurde die Verbesserung der Effizienzverschlechterung unter Verwendung von dickeren leitfähigen GaN-Substraten demonstriert. Zunächst...