pam-xiamen produziert qualitativ hochwertige Gallium-Antimonid (Gas) Einkristall-Ingots. Wir runden auch runde, gesägte, geschnittene und polierte Gaswafer ab und liefern eine epi-ready Oberflächenqualität. Gaskristall ist eine Verbindung, die durch 6n reines ga- und sb-Element gebildet wird und durch Flüssig-Einkapselte-Czochralski (lec) -Verfahren mit epd \u0026 lt; 1000 cm -3. Gaskristall hat e...
In diesem Artikel betrachten wir die Entwicklung von unpolaren (d. h. m-plane und a-plane) und semipolaren (d. h. (20.1) plane) Wafern mittels Ammonothermal-Verfahren. Die Wachstumsverfahren und Polierergebnisse werden beschrieben. Es ist uns gelungen, nicht- und halbpolare Wafer mit 26 mm × 26 mm herzustellen. diese Wafer besitzen hervorragende strukturelle und optische Eigenschaften mit einer Di...
der Prozess zur Verringerung der Versetzungsdichte in 3-Zoll-Fe-dotiert Inp-Wafer wird beschrieben. Der Kristallwachstumsprozess ist ein konventioneller flüssigkeitsverkapselter Czochralsky (lec), jedoch wurden thermische Abschirmungen hinzugefügt, um den thermischen Gradienten im wachsenden Kristall zu verringern. Die Form dieser Schilde wurde mit Hilfe numerischer Simulationen von Wärmeübertragu...
Inas-Segmente wurden auf Gaas-Inseln aufgewachsen, zunächst durch Tröpfchen-Epitaxie auf Siliziumsubstrat erzeugt. Wir haben systematisch den Wachstumsparameterraum für die Inasablagerung untersucht und die Bedingungen für das selektive Wachstum identifiziert Gaas und für rein axiales Wachstum. die axialen Inassegmente wurden mit ihren Seitenwänden um 30 $ ^ {{} ^ circ} $ im Vergleich zu den darun...
Dieses Papier schlägt eine neue dreidimensionale (3d) Photolithographie Technologie für einen hochauflösenden Mikrostrukturierungsprozess auf einem Fasersubstrat. Ein kurzer Überblick über die Lithographie-Technologie der nicht-planaren Oberfläche wird ebenfalls vorgestellt. Die vorgeschlagene Technologie umfasst hauptsächlich die Mikrofabrikation des 3D-Belichtungsmoduls und die Sprühabscheidung ...
In dieser Arbeit untersuchen wir unter Verwendung eines vollständig gekoppelten dreidimensionalen elektrothermischen Vorrichtungssimulators den Mechanismus der Effizienzverschlechterung bei Hochstrombetrieb in planar G ein Leuchtdioden auf N-Basis (LED). Insbesondere wurde die Verbesserung der Effizienzverschlechterung unter Verwendung von dickeren leitfähigen GaN-Substraten demonstriert. Zunächst...
Bei homogenen Materialien ermöglicht das Ultraschall-Immersionsverfahren, das mit einem numerischen Optimierungsprozess verbunden ist, der meist auf dem Newton-Algorithmus basiert, die Bestimmung elastischer Konstanten für verschiedene synthetische und natürliche Verbundmaterialien. Eine wesentliche Einschränkung des bestehenden Optimierungsverfahrens liegt jedoch vor, wenn sich das betrachtete Ma...
Die Bondtemperatur-abhängigen Lasercharakteristiken von 1,5 & mgr; m GaInAsP-Laserdiode (LD) werden auf direkt geklebt InP-Substrat oder Si-Substrat wurden erfolgreich erhalten. Wir haben das gemacht InP Substrat oder Si-Substrat unter Verwendung einer direkten hydrophilen Wafer-Bondtechnik bei Bondtemperaturen von 350, 400 und 450 ° C und abgeschiedenem GaInAsP oder InP-Doppelheterostruktursc...