Siliciumcarbid kommt in vielen verschiedenen Kristallstrukturen vor, die Polytypen genannt werden. ein umfassenderes

Eine Einführung in die Sic-Kristallographie und den Polytypismus findet sich in Lit. 9., trotz der Tatsache, dass

alle Si-Polytypen bestehen chemisch aus 50% Kohlenstoffatomen, die kovalent mit 50% Siliciumatomen verbunden sind,

Jeder Sic-Polytyp hat seine eigenen charakteristischen Eigenschaften elektrischer Halbleiter. während es vorbei ist

100 bekannten Polytypen von sic, nur wenige werden üblicherweise in einer für die Verwendung akzeptablen reproduzierbaren Form gezüchtet

als ein elektronischer Halbleiter. die häufigsten Polytypen von sic, für die zur Zeit entwickelt wird

Elektronik ist 3c-sic, 4h-sic und 6h-sic. die atomare Kristallstruktur der beiden häufigsten

Polytypen ist im schematischen Querschnitt in Abbildung 5.1 dargestellt. wie viel ausführlicher in

Referenzen 9 und 10, die verschiedenen Polytypen von Sic sind tatsächlich aus verschiedenen Stapelsequenzen zusammengesetzt

von Si-C-Doppelschichten (auch Si-C-Doppelschichten genannt), wobei jede einzelne Si-Doppelschicht durch die punktierte bezeichnet ist

Kästchen in Abbildung 5.1. Jedes Atom in einer Doppelschicht hat drei kovalente chemische Bindungen mit anderen Atomen in

die gleiche (eigene) Doppelschicht und nur eine Bindung an ein Atom in einer benachbarten Doppelschicht. Abbildung 5.1a zeigt die

Doppelschicht der Stapelsequenz des 4h-sic-Polytyps, die vier sic-Doppelschichten benötigt, um die Einheit zu definieren

Zellwiederholungsabstand entlang der Stapelrichtung der C-Achse (bezeichnet durch Miller-Indizes). ähnlich,

Der in Abbildung 5.1b dargestellte 6h-sic-Polytyp wiederholt seine Stapelsequenz alle sechs Doppelschichten

der Kristall entlang der Stapelrichtung. das

Die in Abbildung 5.1 dargestellte Richtung wird oft als eine von

(zusammen mit ) die a-Achsenrichtungen.

sic ist ein polarer Halbleiter über die c-Achse in dieser einen Oberfläche

normal zur c-Achse ist mit Siliziumatomen abgeschlossen, während die gegenüberliegende normale c-Achsenoberfläche

ist mit Kohlenstoffatomen abgeschlossen. Wie in Abbildung 5.1a gezeigt, werden diese Oberflächen normalerweise als bezeichnet

\"Siliziumfläche\" bzw. \"Kohlenstofffläche\". Atome entlang der linken oder rechten Kante von Abbildung 5.1a

würde auf \"a-face\" Kristalloberfläche liegen

Ebene normal zur Richtung. 3c-sic,

auch als β-sic bezeichnet, ist die einzige Form von sic mit einer kubischen Kristallgitterstruktur. die nichtkubischen Polytypen von

sic werden manchmal zweideutig als α-sic bezeichnet. 4h-sic und 6h-sic sind nur zwei von vielen.

Abbildung 5.1 schematische Querschnittsdarstellungen von (a) 4h-sic und (b) 6h-sic atomaren Kristallstruktur, zeigt

wichtige kristallographische Richtungen und Oberflächen.

mögliche sic Polytypen mit hexagonaler Kristallstruktur. ähnlich ist 15r-sic der häufigste der

viele mögliche sic Polytypen mit einer rhomboedrischen Kristallstruktur.