aufgrund der unterschiedlichen Anordnung der Si - und C - Atome innerhalb des Sic - Kristallgitters, jeder Sic - Polytyp
weist einzigartige grundlegende elektrische und optische Eigenschaften auf. einige der wichtigeren Halbleiter
Die elektrischen Eigenschaften der Polytypen 3c, 4h und 6h sind in Tabelle 5.1 angegeben. viel mehr
detaillierte elektrische Eigenschaften können in den Referenzen 11 bis 13 und den Referenzen darin gefunden werden. sogar innerhalb eines
Bei gegebenem Polytyp sind einige wichtige elektrische Eigenschaften nicht-isotrop, da sie starke Funktionen sind
der kristallographischen Richtung des Stromflusses und des angelegten elektrischen Feldes (z. B. Elektronenbeweglichkeit)
für 6h-sic). Dotierstoffverunreinigungen können in energetisch nicht äquivalente Stellen eingebaut werden. während alle
Dotierungsionisationsenergien, die mit verschiedenen Dotierstoffeinbaustellen assoziiert sind, sollten normalerweise sein
In Tabelle 5.1 sind nur die oberflächlichsten Ionisationsenergien aufgeführt
Verunreinigung.
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