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Einkristallwachstum und thermoelektrische Eigenschaften von ge (bi, sb) 4te7

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Einkristallwachstum und thermoelektrische Eigenschaften von ge (bi, sb) 4te7

2018-07-12

die thermoelektrischen Eigenschaften zwischen 10 und 300 k und das Wachstum von Einkristalle vom n-Typ und vom p-Typ ge bi4te7, gesb4te7 und ge (bi1-xsbx) 4te7 feste Lösung werden berichtet. Einkristalle wurden mit der modifizierten Bridgman-Methode gezüchtet, und das p-Typ-Verhalten wurde durch die Substitution von bi durch sb in gebi4te7 erreicht.


die Thermokraft in der ge (bi1-xsbx) 4te7-Feststofflösung liegt im Bereich von -117 bis +160 μV k-1. der Übergang vom n-Typ zum p-Typ ist kontinuierlich mit zunehmendem sb-Gehalt und wird bei x ≥ 0,15 beobachtet. die höchsten thermoelektrischen Wirkungsgrade unter den getesteten n-Typ- und p-Typ-Proben sind znt = 0,11 bzw. zpt = 0,20. für ein optimales n-p-Paar in diesem Legierungssystem beträgt die zusammengesetzte Gütezahl znpt = 0,17 bei Raumtemperatur.


Quelle: Iopscience


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