Siliziumkarbid, ist eine Verbindung von Silizium und Kohlenstoff mit der chemischen Formel sic. Es kommt in der Natur als das extrem seltene Mineral moissanite vor. Siliciumcarbidpulver wurde seit 1893 zur Verwendung als Schleifmittel in Massenproduktion hergestellt. Körner aus Siliziumkarbid können durch Sintern miteinander verbunden werden, um sehr harte Keramiken zu bilden, die in Anwendungen, die eine hohe Lebensdauer erfordern, wie z. B. Autobremsen, Autokupplungen und Keramikplatten in kugelsicheren Westen, weit verbreitet sind. Elektronische Anwendungen von Siliziumcarbid als Leuchtdioden (LEDs) und Detektoren in frühen Radios wurden erstmals um 1907 demonstriert, und heute ist es weit verbreitet in der Hochtemperatur- / Hochspannungshalbleiterelektronik. große Einkristalle aus Siliciumcarbid können nach dem Lely-Verfahren gezüchtet werden; Sie können in Edelsteine ​​geschnitten werden, die als synthetischer Moissanit bekannt sind. Siliciumcarbid mit großer Oberfläche kann aus in Pflanzenmaterial enthaltenem SiO2 hergestellt werden.

hier wird synthetisiertes Pulver in einem Graphittiegel unter höchsten Reinheitsbedingungen verdampft. es sublimiert dann auf einer porösen Graphitwand innerhalb des Tiegels, die hexagonale Plättchen bildet. Diese Methode wurde später in den späten 1970er Jahren von Tairov und Tsvetkov als gesäte Sublimationstechnik erweitert. Das letztere Verfahren, allgemeiner als pvt (physikalischer Dampftransport) bezeichnet, wurde weiter verfeinert, um sic-Kugeln mit großem Durchmesser herzustellen, und verschiedene Modifikationen dieser Techniken werden nun in vielen Laboratorien weltweit verwendet. Bulk-Einkristalle mit 150 mm Durchmesser werden heute hergestellt.

elektronische Halbleitervorrichtungen und Schaltungen auf Siliziumkarbid-Basis werden derzeit zur Verwendung in Hochtemperatur-, Hochleistungs- und Hochstrahlungsbedingungen entwickelt, unter denen herkömmliche Halbleiter nicht angemessen arbeiten können. Die Fähigkeit von Siliziumkarbid, unter solchen extremen Bedingungen zu funktionieren, wird voraussichtlich erhebliche Verbesserungen bei einer großen Vielfalt von Anwendungen und Systemen ermöglichen. Diese reichen von stark verbesserten Hochspannungsschaltungen zur Energieeinsparung in der öffentlichen Stromverteilung und von elektrischen Motorantrieben bis hin zu leistungsfähigeren Mikrowellenelektronik für Radar und Kommunikation zu Sensoren und Steuerungen für sauberere, kraftstoffsparendere Düsenflugzeuge und Kraftfahrzeugmotoren. In dem speziellen Bereich der Leistungsvorrichtungen haben theoretische Bewertungen gezeigt, dass sic-Leistungs-MOSFETs und Diodengleichrichter über höhere Spannungs- und Temperaturbereiche arbeiten, überlegene Schaltcharakteristika aufweisen und dennoch eine um fast 20-mal kleinere Chipgröße aufweisen als entsprechende siliziumbasierte Bauelemente. Diese gewaltigen theoretischen Vorteile müssen jedoch in kommerziell erhältlichen Vorrichtungen noch weitgehend verwirklicht werden, hauptsächlich aufgrund der Tatsache, daß die relativ unreifen Kristallzüchtungs- und Vorrichtungsherstellungsverfahren von sic noch nicht in dem Maße entwickelt sind, wie es für eine zuverlässige Einarbeitung in die meisten elektronischen Systeme erforderlich ist.