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Verfahren zum Modulieren des Waferbogens von freistehenden Gansubstraten durch induktiv gekoppeltes Plasmaätzen

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Verfahren zum Modulieren des Waferbogens von freistehenden Gansubstraten durch induktiv gekoppeltes Plasmaätzen

2018-02-05

die Biegekrümmung des freistehenden Gansubstrats verringerte sich nahezu linear von 0,67 auf 0,056 m -1 (dh der Krümmungsradius nahm von 1,5 auf 17,8 m zu), wobei die Ätzzeit des induktiv gekoppelten Plasmas (icp) an der n-polaren Fläche zunahm und änderte schließlich die Biegerichtung von konvex nach konkav. außerdem wurden die Einflüsse der Krümmungskrümmung auf die gemessene Halbwertsbreite (fwhm) der hochauflösenden Röntgenbeugung (hrxrd) in (0 0 2) -Reflex abgeleitet, die sich von 176,8 auf 88,8 Bogensekunden mit Zunahme verringerte in icp Ätzzeit. Die Abnahme der inhomogenen Verteilung von Threading-Dislokationen und Punktdefekten sowie vga-on-Komplexdefekte beim Entfernen der Gan-Schicht von der n-polaren Fläche, die eine große Menge an Defekten beseitigten, war einer der Gründe, die das Verbiegen der freien stehendes gan-Substrat. Ein weiterer Grund war das hohe Seitenverhältnis von nadelähnlichem Gan, das nach dem Icp-Ätzen an der n-polaren Fläche erschien, was die Druckspannung des freistehenden Gansubstrats freisetzte. auf diese Weise konnten rissfreie und extrem flache freistehende Gansubstrate mit einem Krümmungsradius von 17,8 m erhalten werden.

Schlüsselwörter

a1. Radierung; a1. Gansubstrat; a3. Hydriddampfphasenepitaxie; b1. Nitride; b2. Gan


Quelle: sciencedirect


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