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Inp / Ingaas / Inp Epi-Wafer

2017-07-18

wir können 2 \"inp / ingaas / inp epi wafer wie folgt anbieten:


Inp-Substrat:


Indiumphosphid-Wafer,

p / e 2 \"dia × 350 +/- 25um,

N-Typ-Inp: s

(100) +/- 0,5 °,

edp \u0026 lt; 1e4 / cm².

einseitig poliert, rückseitig mattgeätzt, halbflach.


Epi-Schicht:


epi 1: ingaas: (100)

Dicke: 100nm,

Ätzstoppschicht


epi 2: inp: (100)

Dicke: 50 nm,

Bindungsschicht



Quelle: halbleiterwafers.net


Für weitere Informationen besuchen Sie bitte unsere Website: http://www.semiconductorwafers.net,

Senden Sie uns eine E-Mail an angel.ye@powerwaywafer.co m oder powerwaymaterial@gmail.com .


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