Indiumphosphid (inp) ist ein Schlüsselmaterial für Halbleiter, das es optischen Systemen ermöglicht, die für Rechenzentren, mobile Backhaul-, Metro- und Langstreckenanwendungen erforderliche Leistung zu liefern. laser, fotodioden und wellenleiter, die auf inp hergestellt werden, arbeiten im optimalen übertragungsfenster der glasfaser, was eine effiziente faserkommunikation ermöglicht. Die von pam-xiamen entwickelte Technologie der geätzten Facetten (eft) ermöglicht Wafer-Level-Tests ähnlich der traditionellen Halbleiterfertigung. eft ermöglicht Laser mit hoher Ausbeute, hoher Leistung und Zuverlässigkeit.

1) 2 \"Inp-Wafer

Orientierung: ± 0,5 °

Typ / Dotierstoff: n / s; n / nicht dotiert

Dicke: 350 ± 25 mm

Mobilität: \u0026 gt; 1700

Trägerkonzentration: (2 ~ 10) e17

epd: \u0026 lt; 50000 cm ^ -2

poliert: ssp

2) 1 \", 2\" -Inp-Wafer

Orientierung: ± 0,5 °

Typ / Dotierstoff: n / un-dotiert

Dicke: 350 ± 25 mm

Mobilität: \u0026 gt; 1700

Trägerkonzentration: (2 ~ 10) e17

epd: \u0026 lt; 50000 cm ^ -2

poliert: ssp

3) 1 \", 2\" -Inp-Wafer

Orientierung: a ± 0,5 °

Typ / Dotierstoff: n / s; n / nicht dotiert

Dicke: 350 ± 25 mm

poliert: ssp

4) 2 \"Inp-Wafer

Orientierung: b ± 0,5 °

Typ / Dotierstoff: n / te; n / undotiert

Dicke: 400 ± 25 mm, 500 ± 25 mm

poliert: ssp

5) 2 \"Inp-Wafer

Orientierung: (110) ± 0,5 °

Typ / Dotierstoff: p / zn; n / s

Dicke: 400 ± 25 mm

poliert: ssp / dsp

6) 2 \"Inp-Wafer

Orientierung: (211) b; (311) b

Typ / Dotierstoff: n / te

Dicke: 400 ± 25 mm

poliert: ssp / dsp

7) 2 \"Inp-Wafer

Orientierung: (100) 2 ° aus +/- 0,1 Grad t.n. (110)

Typ / Dotierstoff: si / fe

Dicke: 500 ± 20 mm

poliert: ssp

8) 2 \"Größe ingaas / inp epitaxial Wafer, und wir akzeptieren kundenspezifische Spezifikationen.

Substrat: (100) Inp-Substrat

Epi-Schicht 1: in 0,53 Ga 0,47 als Schicht, undotiert, Dicke 200 nm

Epi-Schicht 2: in0.52al0.48as-Schicht, undotiert, Dicke 500 nm

Epi-Schicht 3: in 0,53 Ga 0,47 als Schicht, undotiert, Dicke 1000 nm

Deckschicht: in0.52al0.48as Schicht, undotiert, Dicke 50 nm

Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd (Pam-Xiamen) bietet die höchste Reinheit inaas / inp epitaktische Wafer in der Industrie heute. Hochentwickelte Fertigungsprozesse wurden eingeführt, um qualitativ hochwertige Indiumphosphid-Epitaxiewafer bis zu 4 Zoll mit Wellenlängen von 1,7 bis 2,6 μm zu fertigen und zu produzieren, ideal geeignet für Hochgeschwindigkeits-, Langwellenbildgebung, Hochgeschwindigkeits-HBT und -Hämte, digitale Wandlerschaltungen. Anwendungen mit inP-basierten Komponenten können die Übertragungsraten im Vergleich zu ähnlichen Komponenten, die auf GaAs oder Sige basierten Plattformen aufgebaut sind, deutlich übertreffen.

relative Produkte:

Inas-Wafer

insb-Wafer

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Lücke Wafer

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