pam-xiamen produziert qualitativ hochwertige Gallium-Antimonid (Gas) Einkristall-Ingots.

Wir haben Rund-, Sägeschnitt-, Läpp- und Poliergas-Wafer und können eine epi-fähige Oberflächenqualität liefern.

Gaskristall ist eine Verbindung, die durch 6n reines ga- und sb-Element gebildet wird und durch Flüssig-Einkapselte-Czochralski (lec) -Verfahren mit epd \u0026 lt; 1000 cm -3. Gaskristall hat eine hohe Gleichmäßigkeit der elektrischen Parameter und geringe Defektdichte, geeignet für mbe oder mocvd epitaktisches Wachstum.

wir haben \"epi ready\" Gasprodukte mit großer Auswahl in exakter oder off Orientierung, niedriger oder hoher Dotierung und guter Oberflächengüte. Bitte kontaktieren Sie uns für weitere Produktinformationen.

Gas (Gallium Antimonid) Wafer

pam-xiamen produziert qualitativ hochwertige Gallium-Antimonid (Gas) Einkristall-Ingots.

Wir haben Rund-, Sägeschnitt-, Läpp- und Poliergas-Wafer und können eine epi-fähige Oberflächenqualität liefern.

Gaskristall ist eine Verbindung, die durch 6n reines ga- und sb-Element gebildet wird und durch Flüssig-Einkapselte-Czochralski (lec) -Verfahren mit epd \u0026 lt; 1000 cm -3. Gaskristall hat eine hohe Gleichmäßigkeit der elektrischen Parameter und geringe Defektdichte, geeignet für mbe oder mocvd epitaktisches Wachstum.

wir haben \"epi ready\" Gasprodukte mit großer Auswahl in exakter oder off Orientierung, niedriger oder hoher Dotierung und guter Oberflächengüte. Bitte kontaktieren Sie uns für weitere Produktinformationen .

1) 2 \", 3\" Gaswafer

Orientierung: (100) ± 0,5 °

Dicke (um): 500 ± 25; 600 ± 25

Typ / Dotierstoff: p / undotiert; p / si; p / zn

nc (cm-3) :( 1 ~ 2) e17

Mobilität (cm2 / v · s): 600 ~ 700

Wachstumsmethode: cz

polnisch: ssp

2) 2 \"Gaswafer

Orientierung: (100) ± 0,5 °

Dicke (um): 500 ± 25; 600 ± 25

Typ / Dotierstoff: n / undotiert; p / te

nc (cm-3) :( 1 ~ 5) e17

Mobilität (cm² / v · s): 2500 ~ 3500

Wachstumsmethode: lec

polnisch: ssp

3) 2 \"Gaswafer

Orientierung: (111) a ± 0,5 °

Dicke (\u0026 mgr; m): 500 ± 25

Typ / Dotierstoff: n / te; p / zn

nc (cm-3) :( 1 ~ 5) e17

Mobilität (cm² / v · s): 2500 ~ 3500; 200 ~ 500

Wachstumsmethode: lec

polnisch: ssp

4) 2 \"Gaswafer

Orientierung: (111) b ± 0,5 °

Dicke (\u0026 mgr; m): 500 ± 25; 450 ± 25

Typ / Dotierstoff: n / te; p / zn

nc (cm-3) :( 1 ~ 5) e17

Mobilität (cm² / v · s): 2500 ~ 3500; 200 ~ 500

Wachstumsmethode: lec

polnisch: ssp

5) 2 \"Gaswafer

Orientierung: (111) b 2deg.off

Dicke (\u0026 mgr; m): 500 ± 25

Typ / Dotierstoff: n / te; p / zn

nc (cm-3) :( 1 ~ 5) e17

Mobilität (cm² / v · s): 2500 ~ 3500; 200 ~ 500

Wachstumsmethode: lec

polnisch: ssp

relative Produkte:

Inas-Wafer

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Gaswafer

Lücke Wafer

Galliumantimonid (gasb) kann als Wafer mit geschnittenen, geätzten oder polierten Oberflächen geliefert werden und ist in einer breiten Palette von Trägerkonzentration, Durchmesser und Dicke erhältlich.

gasmaterial bietet interessante eigenschaften für thermophotovoltaische anschlüsse (tpv). gasb: te-einkristall, gezüchtet mit czochralski (cz) oder modifizierten czochralski (mo-cz) -Methoden werden vorgestellt und das Problem der Homogenität diskutiert. Da die Ladungsträgermobilität einer der Schlüsselpunkte für den Volumenkristall ist, werden Hall-Messungen durchgeführt. Wir stellen hier einige komplementäre Entwicklungen vor, die auf dem Gesichtspunkt der Materialbearbeitung basieren: das Kristallwachstum in der Masse, die Wafervorbereitung und das Waferätzen. nachfolgende Schritte nach diesen beziehen sich auf die Ausarbeitung der p / no r n / p-Verzweigung. Einige Ergebnisse, die für verschiedene Dünnschicht-Herstellungsverfahren erhalten wurden, werden vorgestellt. Vom einfachen Dampfphasendiffusionsprozess oder dem Flüssigphasenepitaxieprozess bis zum metallorganischen chemischen Dampfabscheidungsprozess berichten wir über eine gewisse Materialspezifität.

Wenn Sie in insb Waffel interessanter sind, senden Sie bitte E-Mails an uns; sales@powerwaywafer.com und besuchen Sie unsere Website: www.powerwaywafer.com .