Gallium-Halbleiterwafer

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Gallium-Halbleiterwafer

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Gallium-Halbleiterwafer

GaAs-Wafersubstrat - Galliumarsenid
Menge	Material	Orientierung.	Durchmesser	Dicke	Polieren	Widerstand	Typ Dotierstoff	nc	Mobilität	epd
Stck	Material	Orientierung.	(mm)	(μm)	Polieren	Ω · cm	\u0026 emsp;	a / cm3	cm2 / vs	/ cm2
1-100	Gaas	-100	25.4	4000 ± 50	dsp	\u0026 gt; 1e7	undotiert	n / a	n / a	\u0026 lt; 1e5
1-100	Gaas	-100	50.7	350-370	ssp	\u0026 gt; 1e7	undotiert	n / a	\u0026 gt; 3500	\u0026 lt; 10000
1-100	Gaas	(100) 2 ° ± 0,50 in Richtung (011)	50.7	350 ± 10	ssp	(0.8-9) e^-3	n / s	(8) e17	2000-3000	\u0026 lt; 5000
1-100	Gaas	(100) 6 ° ± 0,50 in Richtung (011)	50.7	350 ± 20	ssp	(0,8-9) × 10^-3	n / s	(0,2-4) e18	≥1000	≤5000
1-100	Gaas	-100	50.8	350	ssp	n / a	p / zn	(1-5) e19	n / a	\u0026 lt; 5000
1-100	Gaas	-100	50.8	5000 ± 50	ssp	\u0026 gt; 1e8	undotiert	n / a	n / a	n / a
1-100	Gaas	-100	50.8	4000 ± 50	ssp	\u0026 gt; 1e7	undotiert	n / a	n / a	n / a
1-100	Gaas	-100	50.8	8000 ± 10	wie geschnitten	\u0026 gt; 1e7	undotiert	n / a	n / a	n / a
1-100	Gaas	-100	50.8	8000 ± 10	dsp	\u0026 gt; 1e7	undotiert	n / a	n / a	n / a
1-100	Gaas	(100) 2 °	50.8	3000	ssp	\u0026 gt; 1e7	n / s	n / a	n / a	n / a
1-100	Gaas	-100	50.8	350 ± 25	ssp	\u0026 gt; 1e7	n / a	(1-5) e19	n / a	n / a
1-100	Gaas	-100	50.8	350 ± 25	ssp	n / a	n / a	(0.4-3.5) e18	≥1400	≤100
1-100	Gaas	(100) 0 ° oder 2 °	76.2	130 ± 20	dsp	n / a	undotiert	n / a	n / a	\u0026 lt; 10000
1-100	Gaas	(100) 2 ° ± 0,50	76.2	350 ± 25	ssp	n / a	n / s	(0.4-2.5) e18	n / a	≤5000
1-100	Gaas	-100	76.2	350 ± 25	ssp	n / a	n / a	n / a	n / a	n / a
1-100	Gaas	-100	76.2	350 ± 25	ssp	\u0026 gt; 1e7	undotiert	n / a	n / a	≤8e4 oder 1e4
1-100	Gaas	-100	76.2	625 ± 25	dsp	\u0026 gt; 1e7	undotiert	n / a	≥4500	≤8e4 oder 1e4
1-100	Gaas	(100) 2 ° ± 0,10 in Richtung (110)	76.2	500	ssp	\u0026 gt; 1e7	undotiert	n / a	n / a	n / a
1-100	Gaas	(100) 2 °	100	625	dsp	\u0026 gt; 1e7	undotiert	n / a	n / a	n / a
1-100	Gaas	(100) 2 °	100	625 ± 25	dsp	n / a	n / a	n / a	n / a	n / a
1-100	Gaas	(100) 2 ° ± 0,50 in Richtung (011)	100	350 ± 25	ssp	n / a	n / s	(0.4-3.5) e18	n / a	≤5000
1-100	Gaas	(100) 2 ° ± 0,10 in Richtung (110)	100	625 ± 25	dsp	(1-4) e18	undotiert	n / a	n / a	n / a
1-100	Gaas	(100) 2 ° ± 0,50 in Richtung (011)	100	625 ± 25	dsp	(1,0-4,0) 1e8	undotiert	n / a	n / a	n / a
1-100	Gaas	(100) 2 ° ± 0,50 in Richtung (011)	100	625 ± 25	dsp	(1-4) e8	undotiert	n / a	n / a	n / a
1-100	Gaas	(100) 2 ° ± 0,50 in Richtung (011)	100	350 ± 25	ssp	n / a	n / s	(0,4-4) e18	n / a	≤5000
1-100	Gaas	(100) 15 ° ± 0,50 in Richtung (011)	100	350 ± 25	ssp	n / a	n / s	(0,4-4) e18	n / a	≤5000
1-100	Gaas	(100) 2 ° ± 0,50	100	350 ± 25	dsp	n / a	n / s	(0,4-4) e18	n / a	≤5000
1-100	Gaas	(100) 2 ° ± 0,50	100	625 ± 25	ssp	(1-4) e18	undotiert	n / a	n / a	n / a
1-100	Gaas	(100) 2 ° ± 0,50	150	675 ± 25	dsp	\u0026 gt; 1e7	undotiert	n / a	n / a	n / a
1-100	Gaas	(100) 0 ° ± 3,0 °	150	675 ± 25	dsp	\u0026 gt; 1,0 × 107	undotiert	n / a	n / a	n / a
1-100	Gaas	-310	50.8 / 76.2	n / a	n / a	n / a	n / a	n / a	n / a	n / a

als gaas wafer lieferant, bieten wir gaas halbleiterliste für ihre referenz, wenn sie preisdetail benötigen, kontaktieren sie bitte unser vertriebsteam

Hinweis:

*** Als Hersteller akzeptieren wir auch kleine Mengen für Forscher oder Gießereien.

*** lieferzeit: es hängt von lager haben wir, wenn wir lager haben, können wir ihnen bald. *** wir bieten gaas epitaxy service von mbe und mocvd, bitte kontaktieren sie unser vertriebsteam.

Gaswafersubstrat - Galliumantimonid
Menge	Material	Orientierung.	Durchmesser	Dicke	Polieren	Widerstand	Typ Dotierstoff	nc	Mobilität	epd
Stck	Material	Orientierung.	(mm)	(μm)	Polieren	Ω · cm	\u0026 emsp;	a / cm3	cm2 / vs	/ cm2
1-100	Gas	(100) ± 0,5	50.8	500 ± 25	ssp	n / a	te	1e17 - 5e18	n / a	\u0026 lt; 1000
1-100	Gas	(111) a ± 0,5	50.8	500 ± 25	ssp	n / a	te	1e17 - 5e18	n / a	\u0026 lt; 1000
1-100	Gas	(111) b	50.8	n / a	n / a	n / a	te	(5-8) e17	n / a	n / a
1-100	Gas	(111) b	50.8	n / a	n / a	n / a	undotiert	keiner	n / a	n / a
1-100	Gas	(100) ± 0,5	50.8	500	ssp	n / a	p /	(1-5) e17cm-3	n / a	n / a
1-100	Gas	(100) ± 0,5	50.8	500	ssp	n / a	n /	(1-5) e17cm-3	n / a	n / a
1-100	Gas	(100) ± 0,5	50.8	500	ssp	n / a	n / te	(1-8) e17 / (2-7) e16	n / a	\u0026 lt; 1000
1-100	Gas	-100	50.8	450 ± 25	ssp	n / a	n / a	(1-1.2) e17	n / a	n / a
1-100	Gas	-100	50.8	350 ± 25	ssp	n / a	n / a	n / a	n / a	n / a
1-100	Gas	-100	76.8	500-600	n / a	n / a	undotiert	keiner	n / a	n / a
1-100	Gas	-100	100	800 ± 25	dsp	n / a	p / zn	n / a	n / a	n / a
1-100	Gas	-100	100	250 ± 25	n / a	n / a	p / zno	n / a	n / a	n / a

als Gaswafer Lieferant, bieten wir Gasb Halbleiterliste für Ihre Referenz, wenn Sie Preis-Detail benötigen, kontaktieren Sie bitte unser Vertriebsteam

Hinweis:

*** Als Hersteller akzeptieren wir auch kleine Mengen für Forscher oder Gießereien.

*** lieferzeit: es hängt von lager wir haben, wenn wir lager haben, können wir ihnen bald versenden.

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