wir können 2 \"gainp / inp epi wafer wie folgt anbieten:

2 \"Gainp Epi-Schicht: Dicke: 1um, Ga: In = 1: 1, Epi-Schicht: 1-3um,

Inp Substrat: 2 \"Größe, Ausrichtung (100) oder (110), n-Typ oder halbisolierend, Dicke: 300-500um, einseitig poliert.

Galliumindiumphosphid (gainp), ist ein Halbleiter aus Indium, Gallium und Phosphor. es wird in der Hochleistungs- und Hochfrequenzelektronik aufgrund seiner überlegenen Elektronengeschwindigkeit in Bezug auf die üblicheren Halbleiter Silizium und Galliumarsenid verwendet.

es wird hauptsächlich in der hmt-Struktur, hbt-Strukturen oder mesfet-Struktur verwendet, einem epitaktischen Material mit hohem Bandlückengewinn, das auf Inp aufgewachsen ist, um die Schottky-Barrierenhöhe des Inp-Mesfets mit den Schottky-Gate-Materialien (au und pt2si) zu erhöhen: die pseudomorphe Verstärkung pp / inp Mesfet mit einem au-Gate hat eine Schottky-Barrierenhöhe von 0,54 eV, und der Sperr-Leckstrom der Vorrichtung ist 10 -2-mal niedriger als der des herkömmlichen Inp-Mesfets. die extrinsische und intrinsische Transkonduktanz des pseudomorphen Mesfets beträgt 66,7 bzw. 104,2 ms / mm für das gainp / inp-Mesfet mit 5 \u0026 mgr; m Gatelänge

gainp wird auch für die Herstellung von hocheffizienten Solarzellen für Weltraumanwendungen verwendet. ga0.5in0.5p wird als hochenergetische Verbindung für photovoltaische Zellen mit doppeltem und dreifachem Übergang auf Gaas verwendet. In den letzten Jahren wurden gainp / gaas-Tandemsolarzellen mit Wirkungsgraden von am0 (Sonnenlichteinfall im Raum = 1,35 kW / m2) von mehr als 25% nachgewiesen. Eine andere Legierung von Gainp, Gitter angepasst an die zugrunde liegenden Gainas, wird als Hochenergieübergang Gainp / Gainas / ge Triple-Junction-Photovoltaik-Zellen.in Kombination mit Aluminium (Algainp-Legierung) verwendet, um hohe Helligkeit LEDs mit orange-rot, orange, gelbe und grüne Farben.

Quelle: halbleiterwafers.net

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